| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 制造ＴＦＴｓ的方法从在形成于衬底上的底层上选择性地形成镍膜开始。在镍膜上再形成非晶硅膜而且加热使之晶化。用红外光辐照该晶化了的膜使之退火。从而获得结晶度优良的结晶硅膜。用这种结晶硅膜来构成ＴFＴｓ。 | ||
| 申请公布号 | CN1052571C | 申请公布日期 | 2000.05.17 |
| 申请号 | CN94108851.0 | 申请日期 | 1994.06.22 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 张宏勇;寺本聪 |
| 分类号 | H01L21/02;H01L21/336;H01L21/82 | 主分类号 | H01L21/02 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王岳;程天正 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，包括下列各步骤：在一个衬底上，形成一个非单晶半导体膜；选择性地配置一个含有金属的膜，用以促进与所述半导体膜相接触的硅的晶化，其中所述金属是至少一种从下列金属所组成的物质组中所选出的金属：Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Cu和Zn；以及使所述半导体膜晶化，所述方法的特征在于：使所述含有金属的膜配置成与所述半导体膜的一侧相接触，而且从该一侧开始晶化。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||