发明名称 |
半导体式差压测量装置 |
摘要 |
一种含有其两侧设有测量室的测量膜片的半导体式差压测量装#O&置,包括第一室与第一室连通的第一连通孔、凹形部分、第二连通孔、应变检出元件,还包括设置在硅基片上的第二室及一个支承基片。该装置在允许的测量检限内检出差压,但当施加过压时,测量膜片直接由测量室的壁支持以防止膜片被过压所损坏。因此,该装置不需要抗过压的附加保护机构。 |
申请公布号 |
CN1052538C |
申请公布日期 |
2000.05.17 |
申请号 |
CN93117514.3 |
申请日期 |
1993.09.10 |
申请人 |
横河电机株式会社 |
发明人 |
池田恭一;渡边哲也;冢本秀郎;工藤贵裕;长井浩二;福原聪 |
分类号 |
G01L7/08 |
主分类号 |
G01L7/08 |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
张维 |
主权项 |
1.一种含有其两侧设有测量室的测量膜片的半导体式差压测量装置,包括:一个由设置在一个硅基片和一个在所述的硅基片上形成的膜片之间的预定间隔所划定的第一室;一个设置在所述的硅基片上的第一连通孔,其一端与所述的第一室连通;一个设置在所述的膜片上、在与上面设置所述的第一室的面对置的侧面上的凹形部分;一个设置在所述的硅基片上的第二连通孔;一个设置在所述的膜片上,在其上形成所述的凹形部分的面上的应变检出元件;其特征在于,还包括:一个设置在所述的硅基片上的带有外伸部分的第二室,所述的第二室与所述的凹形部分连通并且安装成除所述的第一连通孔处之外以环形方式包围所述的膜片,其中所述第二连通孔的一端与所述外伸部分连通;一个支承基片,其表面与所述的硅基片的具有上面形成的所述的凹形部分的表面相接合,所述的支承基片与所述的凹形部分一起划定第二室和另一室。 |
地址 |
日本东京 |