| 摘要 |
<P>L'invention concerne un procédé de fabrication de cellules DRAM dans un substrat (1) comprenant les étapes suivantes déposer un premier conducteur (6) dans des premières ouvertures dans un premier isolant (5) exposant partiellement des régions (2, 3) de source/ drain des transistors de commande; ouvrir dans un deuxième isolant (7) de façon à exposer partiellement les premières ouvertures contactant les régions de source/ drain (2), déposer un deuxième conducteur (8), puis un troisième isolant (9), délimiter dans les troisième isolant et deuxième conducteur des lignes de bit des cellules mémoire, et former des espaceurs latéraux (10) sur les côtés des lignes de bit; ouvrir un quatrième isolant (11) de façon à exposer partiellement les premières ouvertures en contact avec les régions de drain/ source (3) des transistors; déposer et graver un troisième conducteur (12); déposer de façon conforme un diélectrique (13); et déposer un troisième conducteur (14).</P> |
