发明名称 Procédé de fabrication de corps semi-conducteurs épitaxiques ayant un substrat àrésistance ohmique extrêment basse
摘要
申请公布号 FR1452392(A) 申请公布日期 1966.02.25
申请号 FR19650036111 申请日期 1965.10.25
申请人 TELEFUNKEN PATENTVERWERTUNGSGESELLSCHAFT M.B.H. 发明人 SCHUETZE HANS-JUERGEN;HENNINGS KLAUS
分类号 H01L21/00;H01L21/20 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人
主权项
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