| 主权项 |
1.一种恢复对准标记之对准功能的方法,包括下列步骤:提供一晶圆;其中,该晶圆具有该对准标记与一第一定位边,且该晶圆上已形成有一膜层,该膜层遮蔽该对准标记,而无法准确对准;提供一档板;其中,该档板具有一开口与一第二定位边,该开口之面积不小于该对准标记之周缘的面积,该第二定位边与该第一定位边得相互对准,且该开口与该第二定位边的相对位置系和该对准标记与该第一定位边彼此之间的相对位置相同,藉以使得该第二定位边与该第一定位边对准时,该开口与该对准标记得以相互对准;将该档板置于该晶圆表面,使该第二对准边对准该第一对准边,该开口裸露出该对准标记上方之膜层;以及以该档板为罩幕,去除该开口所裸露之该膜层,使该对准标记发挥对准之功能。2.如申请专利范围第1项所述之一种恢复对准标记之对准功能的方法,其中该膜层包括不透光之材质。3.如申请专利范围第1项所述之一种恢复对准标记之对准功能的方法,其中该膜层之材质包括金属。4.如申请专利范围第1项所述之一种恢复对准标记之对准功能的方法,其中该膜层之材质包括复晶矽。5.如申请专利范围第1项所述之一种恢复对准标记之对准功能的方法,其中该第一定位边与该第二定位边的形状包括V型槽口。6.如申请专利范围第1项所述之一种恢复对准标记之对准功能的方法,其中该开口之面积约大于该对准标记之周缘所围成之面积。7.如申请专利范围第1项所述之一种恢复对准标记之对准功能的方法,其中去除该开口所裸露之该膜层的方法包括非等向性蚀刻法。8.如申请专利范围第7项所述之一种恢复对准标记之对准功能的方法,其中去除该开口所裸露之该膜层的方法包括电浆蚀刻法。9.如申请专利范围第1项所述之一种恢复对准标记之对准功能的方法,其中去除该开口所裸露之该膜层的方法包括一电浆蚀刻步骤,该步骤系利用一射频使该电浆所产生之一粒子,沿着该晶圆的方向,而加速轰击该开口所裸露之该膜层,而达到去除该开口所裸露之该膜层的目的。10.如申请专利范围第1项所述之一种恢复对准标记之对准功能的方法,其中去除该开口所裸露之该膜层的方法包括一电浆蚀刻步骤,该步骤系将该晶圆系置于一晶座上,且在该档板与该晶座施加可产生一射频之电压,使该电浆所产生之一粒子,得以沿着该晶圆的方向,加速轰击该开口所裸露之该膜层,而达到去除该开口所裸露之该膜层的目的。11.一种恢复对准标记之对准功能的方法,包括下列步骤:提供一晶圆,该晶圆具有该对准标记与一第一定位边,且该晶圆上已形成有一膜层,该膜层遮蔽该对准标记,而无法准确对准;提供一档板;其中,该档板具有一开口与一第二定位边,且该开口与该第二定位边的相对位置系和该对准标记与该第一定位边彼此之间的相对位置相同,藉以使得该第二定位边与该第一定位边对准时,该开口与该对准标记得以相互对准;将该档板置于该晶圆表面,使该第二对准边对准该第一对准边,该开口裸露出该对准标记上方之膜层;以及以该档板为罩幕,利用电浆蚀刻法以去除该开口所裸露之该膜层,该电浆系使用一射频以使该电浆所产生之一粒子,沿着该晶圆的方向加速轰击该开口所裸露之该膜层,使该对准标记恢复对准之功能。12.如申请专利范围第11项所述之一种恢复对准标记之对准功能的方法,其中该膜层包括不透光之材质。13.如申请专利范围第11项所述之一种恢复对准标记之对准功能的方法,其中该膜层之材质包括金属。14.如申请专利范围第11项所述之一种恢复对准标记之对准功能的方法,其中该膜层之材质包括复晶矽。15.如申请专利范围第11项所述之一种恢复对准标记之对准功能的方法,其中该第一定位边与该第二定位边包括V型槽口。16.如申请专利范围第11项所述之一种恢复对准标记之对准功能的方法,其中该开口之面积约大于该对准标记之周缘所围成之面积。17.如申请专利范围第11项所述之一种恢复对准标记之对准功能的方法,去除该开口所裸露之该膜层的方法条将该晶圆置于一晶座上,且在该档板与该晶座施加可产生该射频之电压,使该电浆所产生之该粒子,得以加速轰击该开口所裸露之该膜层。图式简单说明:第一图A系绘示习知一种失去对准功能之元件的剖面图;第一图B系绘示习知一种恢复第一图A之元件其对准功能的剖面图;以及第二图系绘示本发明之一种恢复对准标记之对准功能的剖面图;第三图系绘示第二图之晶圆的示意图;以及第四图系绘示第二图之档板的示意图。 |
