| 主权项 |
1.一种槽线架构的电路结构包含:一电气绝缘的基片,具有一第一平面与一第一连接区;一第一槽线,相对于该基片平面安装并由延伸到该连接区内之第一与第二间隔开的导体组成,该第一与第二间隔开导体之间界定一第一槽;及第一晶片电路机构,倒装于该基片之该连接区上,用于传导与该槽线有关的一电气讯号,该第一晶片电路机构具有倒装于该第一导体之一第一端及倒装于该第二导体之一第二端。2.如申请专利范围第1项所述的电路结构,其中该晶片电路机构包含一对主动装置,各主动装置具有一形成该第一与第二端子中之一各别端子的控制端。3.如申请专利范围第1项所述的电路结构,其中该晶片电路机构包含一对主动装置,各主动装置具一形成该第一与第二端子中之一对应端子的载流端。4.如申请专利范围第1项所述的电路结构,更包含一第二槽线,相对于该基片安装并与该第一槽线间隔开,该第二槽线亦由延伸到该连接区内之第三与第四间隔开的共平面导体组成,该第三与第四间隔开的共平面导体之间界定一第二槽,该第二槽线是用于传导与该晶片电路机构有关的一电气讯号。5.如申请专利范围第4项所述的电路结构,更包含一第五导体,延伸至该连接区内并与该第一、第二、第三与第四导体间隔开,且其中该晶片电路机构包含一对电晶体,该对电晶体具有两控制端与三个载流端,该等控制端是连接至该第一与第二导体,且该等载流端是连接至该第三、第四与第五导体。6.如申请专利范围第5项所述的电路结构,其中该第五导体包括一延伸至该第一与第二槽中之其中一个槽内的部位,用于将该第五导体电容耦连到形成该一个槽之导体。7.如申请专利范围第1项所述的电路结构,更包含一延伸至该连接区内并与该第一与第二导体间隔开的第五导体,该第五导体包括一延伸至该槽内的部位,用于将该第五导体电容耦连到该第一与第二导体。8.如申请专利范围第1项所述的电路结构,其中该第一槽具有一远离该连接区的接合点并分为第一与第二槽部,该第一与第二导体界定一第一槽线部,该电路结构更包含一第三导体,与该第一与第二导体共平面,并设置为相邻于该第一导体且与该第一导体隔开,该第一导体远离该结点以界定一远端槽线部,并设置为相邻于该第二导体且延该第二槽部与该第二导体隔开,以用于界定一第二槽线部。9.如申请专利范围第8项所述的电路结构,其中该基片具有一第二连接区,且该第二槽部延伸至该第二连接区内,该电路结构更包含倒装于该第二连接区上之第二晶片电路机构,该第二晶片电路机构具一倒装于该第二导体之第一端,及一倒装于该第三导体之第二端,该第二槽线部是传导与该第二晶片电路机构有关之一电气讯号。10.如申请专利范围第9项所述的电路结构,其中该第一与第二晶片电路机构是构成为一单一晶片。11.如申请专利范围第1项所述的电路结构,其中该槽线是为U形,具一相邻于一第二部延伸之第一部,该第一部提供电磁耦合至一延着该第二部传输的讯号,该U形槽线更包括一基部,耦连该第一与第二部并界定一延伸到该U形槽线内之半岛状导体。12.如申请专利范围第11项所述的电路结构,其中该晶片电路机构包含一具有一控制端与两载流端的电晶体,该晶片电路机构是相对该基片安装,其控制端是倒装于该半岛状导体之上。13.如申请专利范围第11项所述的电路结构,其中U形槽线之该第一部终止于一放大的开口内。14.如申请专利范围第13项所述的电路结构,其中该开口一般是为圆形。15.如申请专利范围第14项所述的电路结构,其中该第一部一般为均一宽度,且该开口的半径大于该均一宽度。16.如申请专利范围第15项所述的一电路结构,其中该开口具有一周边,且该第一部具有一与该周边相切地相交的边。17.如申请专利范围第1项所述的电路结构,其中该第一与二导体具有延伸至该连接区内的近端;且更包含:一第二槽线,安装于该基片平面上并与该第一槽线间隔开,该第二槽线包括第三与第四间隔开的共平面导体,该第三与第四间隔开的共平面导体具有延伸至该连接区内的近端,且其间界定一第二槽,该第一与第二导体之近端是与该第三与第四导体之近端间隔开;及一第五导体,亦是安装于该基片平面上,与该第一、第二、第三与第四导体相间隔并且共平面,该第五导体具有一定位于该连接区内的近部,该近部亦是于该第一与第二槽线之该等近端间隔开;该晶片电路机构包含倒装于该连接区内之第一、第二、第三、第四与第五导体上的第一与第二电晶体,该第一与第二电晶体用于接收该第一槽线上输入之一讯号并输出由该第二槽线上之该等电晶体所放大的一讯号。18.如申请专利范围第17项所述的电路结构,其中该第五导体是连接至一共用参考电位。19.如申请专利范围第17项所述的电路结构,其中该等电晶体各包括一控制端及两载流端,各控制端是耦连到该第一与第二导体中之各别的一个导体,各电晶体之一载流端是耦连到该第三与第四导体中之各别的一个导体,且该等电晶体各者之该等载流端中的另一载流端是耦连至该第五导体。20.如申请专利范围第19项所述的电路结构,其中该等电晶体是为场效电晶体,该等控制端是为闸极端,且该等载流端分别是为源极与汲极,该等汲极是耦连到该第三与第四导体。21.如申请专利范围第19项所述的电路结构,包括一混频器,该第一与第二槽线具各别的远端,且该第五导体具一由该连接区延伸出的远部,该电路结构更包括一耦连到该第一与第二槽线之一者的该远端的局部振荡器,该混频器是用于在该等槽线之另一个之远端上传输的一高频讯号与该第五导体之远端上传输的一中频讯号之间转换。22.如申请专利范围第21项所述的电路结构,更包括一第六导体,连接形成该另一槽线的该等导体,位于形成该另一槽线之该等导体的端部中间。23.如申请专利范围第22项所述的电路结构,其中该第六导体之远端形成一用于传导该中频讯号之端子。24.如申请专利范围第22项所述的电路结构,其中该第六导体更具有相对于形成该另一槽线之该等导体的高阻抗。25.如申请专利范围第21项所述的电路结构,其中该第五导体连续地于该第一与第二槽线之近端之间延伸。26.如申请专利范围第19项所述的电路结构,包含一第一振荡器,该第一槽线形成一共振器,该第二槽线具一远端,该第五导体是耦连到一参考电位,且该第二槽线的该远端是为该振荡器之输出。27.如申请专利范围第26项所述的电路结构,包含双重振荡器,该电路结构更包含一第二振荡器,该第二振荡器具有与该第一振荡器相同的结构,该第一振荡器的该第二导体与该第二振荡器的第一导体连接一体。28.如申请专利范围第27项所述的电路结构,其中该第一振荡器的该第五导体是连接至该第二振荡器之第五导体。29.如申请专利范围第28项所述的电路结构,其中该等第五导体之各者包括一延伸至各第二槽内的部位,以供将该等第五导体电容耦连到相邻的第三与第四导体。30.如申请专利范围第27项所述的电路结构,其中用于该第一与第二振荡器的该等电晶体是形成为一单一晶片。31.如申请专利范围第26项所述的电路结构,其中该第五导体包括一延伸至该第二槽内的部位,以供将该等第五导体电容耦连到该第三与第四导体。32.如申请专利范围第17项所述的电路结构,其中该第五导体包括一延伸至该第二槽内的部位,以供将该等第五导体电容耦连到该第三与第四导体。33.如申请专利范围第32项所述的电路结构,其中该等电晶体是为场效电晶体,具一连接到该第一与第二导体之各者的闸极、一连接到该第三与第四导体之各个的汲极、与连接到该第五导体的源极。34.如申请专利范围第17项所述的电路结构,更包括将该第五导体耦连到该第一与第二槽线之至少一个的电容机构。35.如申请专利范围第34项所述的电路结构,其中该电容机构包括延伸于该一槽线之导体间的该第五导体的一部位。36.一种用于在一射频讯号与一中频讯号间转换的混频器包括:第一与第二主动装置,各主动装置具一控制端与两载流端,一主动装置之一载流端是耦连到另一主动装置之一载流端;一第一射频端,耦连到该第一主动装置之该控制端;一第二射频端,耦连到该第二主动装置之该控制端,该第一与第二控制端是用于传导一高频讯号;一连接导体,将第一主动装置之载流端的另一个耦连到第二主动装置之载流端的另一个;一局部振荡器,耦连到各主动装置之载流端的另一个,用于将一局部振荡器讯号施加到主动装置;一第一中频端,耦连到两主动装置之一载流端;及一第二中频端,耦连到连接导体上的一点,位于其端部的中间。37.如申请专利范围第36项所述的混频器,更包含第一与第二导体,将局部振荡器耦连到第一与第二主动置的另一载流端,该连接导体延伸于该第一与第二导体之间,且该第二中频端耦连到连接导体上的一点,连接导体来自第一与第二导体之各个的设计频率之波长的四分之一。38.如申请专利范围第37项所述的混频器,其中该第一与第二导体形成于槽线,且该连接导体之阻抗高于该第一与第二导体。39.如申请专利范围第38项所述的混频器,其中该等主动装置是倒装于该第一与第二导体上。图式简单说明:第一图是为依据本发明所制成之一放大器的第一较佳实施例的平面图。第二图是为包含于第一图之放大器内之晶片电路的示意图。第三图是为第一图之本发明之一第二实施例的平面图。第四图是为一振荡器形式之本发明的一第三实施例的平面图。第五图是为类似于第四图,依据本发明所制成之一双重振荡器的简化平面图。第六图是为第五图之实施例的变化形式,为依据本发明制成之一多重振荡器。第七图说明依据本发明所制成之两串联连接之推挽式放大器的平面图。第八图是为第七图之实施例的一示意图。第九图是为类似于第七图所示之实施例的实施例平面图,说明了本发明之另一特征。第十图是为一槽线与一微带线之间之一主动转换形式的另一实施例的平面图。第十一图是为延第十图之线11-11截取之剖视图。第十二图是为一混频器形式的第一图之本发明之另一实施例的平面图。第十三图是为依据本发明所制成之一混频器的一第二实施例的平面图。第十四图是为第十三图之混频器的示意图。第十五图是为依据本发明所制成之一混频器的一第三实施例的平面图。 |
