| 主权项 |
1.一种形成阶梯形金属接触窗(Metal Contact)的方法,其步骤包括:(a)提供一半导体基板,所述基板的元件区域表面着有一金属矽化物闸极结构及闸极结构侧壁子;(b)沈积一层绝缘层于所述侧壁子及整个基板之上;(c)形成第一幕罩层(mask)于所述绝缘层之上;(d)在所述第一幕罩层上定义出金属接触窗的光阻图案,并对未被覆盖之所述绝缘层作第一次金属接触窗蚀刻,以形成金属接触窗之上半部;(e)在表面形成第二幕罩层,并进行幕罩层蚀刻步骤,以形成侧壁子;(f)以所述侧壁子为阻障,对未被覆盖之所述绝缘层作第二次金属接触窗蚀刻,以形成金属接触窗之下半部;(g)移除所述侧壁子。2.如申请专利范围第1项所述之形成阶梯形金属接触窗的方法,其中所述金属矽化物闸极系包含复晶矽和矽化钨(WSix)。3.如申请专利范围第1项所述之形成阶梯形金属接触窗的方法,其中所述闸极结构侧壁子系含有氮化矽。4.如申请专利范围第1项所述之形成阶梯形金属接触窗的方法,其中所述绝缘层系为硼磷搀杂玻璃膜(BPSG)。5.如申请专利范围第1项所述之形成阶梯形金属接触窗的方法,其中所述绝缘层与幕罩层具有高的蚀刻选择比。6.如申请专利范围第1项所述之形成阶梯形金属接触窗的方法,其中所述第一次金属接触窗蚀刻,系利用非均向性乾蚀刻法,以蚀刻时间(Time Mode)控制蚀刻深度。7.如申请专利范围第1项所述之形成阶梯形金属接触窗的方法,其中所述幕罩层蚀刻,系利用非均向性乾蚀刻法,以形成侧壁子。8.如申请专利范围第1项所述之形成阶梯形金属接触窗的方法,其中所述第二次金属接触窗蚀刻,系利用非均向性乾蚀刻法,以蚀刻终点侦测法(EndPoint)控制蚀刻深度。9.如申请专利范围第1项所述之形成阶梯形金属接触窗的方法,其中所述金属接触窗上半部的宽度系大于所述金属接触窗下半部的宽度。10.一种形成阶梯形金属接触窗(MetalContact)的方法,其步骤包括:(a)提供一半导体基板,所述半导体基板上着有元件,以及一绝缘层和一平坦的表面于其上;(b)形成第一幕罩层(mask)于表面上;(c)在所述第一幕罩层上定义出金属接触窗的光阻图案,并对未被覆盖之所述绝缘层作第一次金属接触窗蚀刻,以形成金属接触窗之上端;(d)于表面形成第二幕罩层,并进行幕罩层蚀刻步骤,以形成侧壁子;(e)以所述侧壁子为阻障,对未被覆盖之所述绝缘层作第二次金属接触窗蚀刻;(f)移除所述侧壁子,以形成二阶之阶梯形金属接触窗。11.如申请专利范围第10项所述之形成阶梯形金属接触窗的方法,其中(e)步骤之后可重复(d)-(e)步骤至少一次,再施行步骤(f)以形成至少三阶的阶梯形金属接触窗。12.如申请专利范围第10项所述之形成阶梯形金属接触窗的方法,其中所述绝缘层与幕罩层具有高的蚀刻选择比。13.如申请专利范围第10项所述之形成阶梯形金属接触窗的方法,其中所述金属接触窗蚀刻,系利用非均向性乾蚀刻法。14.如申请专利范围第10项所述之形成阶梯形金属接触窗的方法,其中所述幕罩层蚀刻,系利用非均向性乾蚀刻法,以形成侧壁子。15.一种积体电路中上宽下窄阶梯形接触窗的结构,系包含:一半导体基板;一介电层于所述半导体基板表面;以及一阶梯形接触窗,其边缘结构为至少二阶具有高度差的阶梯。16.如申请专利范围第15项所述之积体电路中上宽下窄阶梯形接触窗的结构,其中所述阶梯形接触窗系采用均向性乾蚀刻法蚀刻所述介电层而形成。图式简单说明:第一图是习知技艺中,笔直形状金属接触窗之剖面示意图。第二图A-F是本发明实施例中,以二阶段蚀刻步骤形成二阶阶梯形金属接触窗之制程剖面示意图。第三图是本发明中实施例中,以二阶段以上之蚀刻步骤所形成的多阶阶梯形金属接触窗之剖面示意图。 |
