| 主权项 |
1.一种改善高崩溃电压之半导体功率整流器电压突降之方法,包含:在一具有高浓度第一导电型之半导体基材上以磊晶方式形成一低浓度具有第二导电型之半导体磊晶层;在所述第二导电型半导体磊晶层,以热扩散方式形成一高浓度第三导电型之半导体杂质层;在所述第三导电型之半导体杂质层下形成有一空乏区;及在所述第一导电型基材及第二导电型磊晶层之间形成一或以上高浓度之隔绝层;此方法之特征为所述隔绝层可以使所述第一导电型之半导体基材上的微缺陷不致影响到此半导体功率整流器空乏区之展开。2.如申请专利范围第1项之改善高崩溃电压之半导体功率整流器电压突降之方法,其中所述半导体基材为矽基材。3.如申请专利范围第1项之改善高崩溃电压之半导体功率整流器电压突降之方法,其中所述第一导电型为n+型,且所述第二导电型为n型,及第三导电型为p+型。4.如申请专利范围第1项之改善高崩溃电压之半导体功率整流器电压突降之方法,其中所述第一导电型为p+型,且所述第二导电型为p型,及第三导电型为n+型。5.如申请专利范围第1至4项之任一项之改善高崩溃电压之半导体功率整流器电压突降之方法,其中所述隔绝层为P+或N+型之矽磊晶层,且其厚度大于1um、电阻系数小于5.0 ohm-cm。6.如申请专利范围第1项之改善高崩溃电压之半导体功率整流器电压突降之方法,其中所述高崩溃电压为450伏以上。图式简单说明:第一图为习知半导体功率整流器之剖面图;第二图为一个矽基材与其上磊晶层界面处之电子显微镜图,证实微缺陷之存在;及第三图为本发明所提出之一个半导体功率整流器实施例的剖面图。 |
