| 主权项 |
1.一种形成熔丝于一半导体基材上之方法,该基材上具有已形成之元件及至少一层之多晶矽连线层,该方法至少包含以下步骤:形成第一金属层于该基材上;定义该熔丝及第一金属连线于该第一金属层内;形成一介电层于该熔丝及该第一金属连线上;定义连接洞于该介电层内,该连接洞延伸至该第一金属层;形成第二金属层于该介电层上;定义第二金属连线于该第二金属层内;形成一被覆层于该第二金属连线上;及定义一接触垫开口于该被覆层内及一熔丝窗于该被覆层及该介电层内之该熔丝上方处。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一金属层至少包含钛、氮化钛、钨、铝铜层及铝矽铜层其中之一。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之介电层包含至少一层之氧化矽层。4.如申请专利范围第3项之方法,其中上述之介电层至少包含:一未掺杂氧化层;一旋涂玻璃层于该未掺杂氧化层上;及一氧化层于该旋涂玻璃层上。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第二金属层至少包含钛、氮化钛、钨、铝铜层及铝矽铜层其中之一。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之被覆层至少包含一氮化矽层、以及一氮化矽及氧化矽之组合层其中之一。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之接触垫开口系延伸至部分之该第二金属层。8.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之熔丝与上述之熔丝窗间所留下之该介电层厚度约为3,000埃至7,000埃。9.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之定义该接触垫开口及该熔丝窗之步骤,至少包含以下步骤:形成一光阻层于该被覆层上;定义一接触垫开口区域及一熔丝窗区域于该光阻层内,该熔丝窗区域系位于该熔丝之上方;及以该光阻层为罩幕,蚀刻该被覆膜层及该介电层。10.申请专利范围第9项之方法,其中上述之光阻层至少包含一有机高分子层。11.如申请专利范围第10项之方法,更包含于该蚀刻步骤后,进行一热烘烤制程。12.一种形成熔丝于一半导体基材上之方法,该基材上具有已形成之元件及至少一层之多晶矽连线层,该方法至少包含以下步骤:形成第一金属层于该基材上;定义该熔丝及第一金属连线于该第一金属层内;形成一介电层于该熔丝及该第一金属连线上,该介电层包含至少一层之氧化矽层;定义连接洞于该介电层内,该连接洞延伸至该第一金属层;形成第二金属层于该介电层上;定义第二金属连线于该第二金属层内;形成一被覆层于该第二金属连线上;形成一光阻层于该被覆层上;定义一接触垫开口区域及一熔丝窗区域于该光阻层内,该熔丝窗区域系位于该熔丝之上方;及以该光阻层为罩幕,蚀刻该被覆膜层及该介电层,以定义一接触垫开口于该被覆层内及一熔丝窗于该被覆层及该介电层内之该熔丝上方处。13.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之第一金属层至少包含钛、氮化钛、钨、铝铜层及铝矽铜层其中之一。14.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之介电层至少包含:一未掺杂氧化层;一旋涂玻璃层于该未掺杂氧化层上;及一氧化层于该旋涂玻璃层上。15.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之第二金属层至少包含钛、氮化钛、钨、铝铜层及铝矽铜层其中之一。16.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之被覆层至少包含一氮化矽层、以及一氮化矽及氧化矽之组合层其中之一。17.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之接触垫开口系延伸至部分之该第二金属层。18.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之熔丝与上述之熔丝窗间所留下之该介电层厚度约为3,000埃至7,000埃。19.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之光阻层至少包含一有机高分子层。20.如申请专利范围第12项之方法,更包含于该蚀刻步骤后,进行一热烘烤制程。图式简单说明:第一图 显示本发明中之所使用之半导基材的截面示意图。第二图 显示本发明中形成第一金属层于基材上之截面示意图。第三图 显示本发明中定义熔丝及第一金属连线于第一金属层内之截面示意图。第四图 显示本发明中形成一介电层于熔丝及第一金属连线上之截面示意图。第五图 显示本发明中定义连接洞于介电层内之截面示意图。第六图 显示本发明中形成第二金属层于介电层上之截面示意图。第七图 显示本发明中定义第二金属连线于第二金属层内之截面示意图。第八图 显示本发明中形成一被覆层于第二金属连线上之截面示意图。第九图 显示本发明中定义一熔丝窗于被覆层及介电层内之熔丝上方处之截面示意图。第十图 显示本发明中定义一接触垫开口于被覆层内之截面示意图。 |
