| 主权项 |
1.一种沉积均匀介电层之方法,其系应用于半导体制程中沉积均匀介电层之方法,其包含下列步骤:(a)提供一基板;(b)以一电浆加强化学气相沉积法(PECVD)沉积一第一介电薄膜材料于该基板上;(c)通入氧电浆(Oxygen plasma)以去除该基板表面电荷分布不均之现象;以及(d)以一化学气相沉积法(CVD)沉积一第二介电薄膜材料,以得致于该基板上均匀厚度之一介电层。2.如申请专利范围第1项所述之沉积均匀介电层之方法,其中该基板系为其上具有多晶矽闸极结构之矽基板。3.如申请专利范围第1项所述之沉积均匀介电层之方法,其中该步骤(b)之电浆加强化学气相沉积法系以四乙基邻矽酸盐(Tetra-Ethyl-Ortho-Silicate,TEOS)为反应气体来源,用以沉积该第一介电薄膜材料于该基板上。4.如申请专利范围第3项所述之沉积均匀介电层之方法,其中该第一介电薄膜材料系为二氧化矽。5.如申请专利范围第1项所述之沉积均匀介电层之方法,其中该步骤(c)所通入氧电浆之压力范围为3-14torr。6.如申请专利范围第5项所述之沉积均匀介电层之方法,其中该步骤(c)所通入氧电浆之压力范围为8.2torr。7.如申请专利范围第1项所述之沉积均匀介电层之方法,其中该步骤(d)所使用之化学气相沉积法系选自加入臭氧之常压化学气相沉积法与加入臭氧之次常压化学气相沉积法中之一。8.如申请专利范围第7项所述之沉积均匀介电层之方法,其中该步骤(d)之化学气相沉积法系以四乙基邻矽酸盐(Tetra-Ethyl-Ortho-Silicate,TEOS)为反应气体来源,用以沉积该第二介电薄膜材料于该基板上。9.如申请专利范围第8项所述之沉积均匀介电层之方法,其中该第二介电薄膜材料系为二氧化矽。图式简单说明:第一图:其系为经本发明方法处理后所得介电层与模拟传统方法所得介电层之氧化电荷分布比较图。第二图:其系为另一环境条件下经本发明方法处理后所得介电层与模拟传统方法所得介电层之氧化电荷分布比较图。 |
