| 主权项 |
1.一种控制流体内分子簇之装置,其包括: 一流体通过其中的管装置;及 一设置在该管装置的周围方向且呈流体流动之横 向方向的装置,其系用于对经该管装置之流体施加 一横向于该流体流动方向的电或磁能场; 平行于流体流动方向之该能场宽度小于1毫米; 该用以施加电或磁能场之装置在平行于流体流动 方向上的总厚度是小于10毫米。2.如申请专利范围 第1项之控制流体内分子簇之装置,其该能量施用 装置包括至少二个电极,且该管装置系由非导电材 料制成。3.如申请专利范围第1项控制流体内分子 簇之装置,其中该能量施用装置包括至少二个磁极 及该管装置系由非磁性材料制成。4.如申请专利 范围第1至3项中任一项之控制流体内分子簇之装 置,其中该能量施用装置系设于外周面。5.如申请 专利范围第1至3项中任一项之控制流体内分子簇 之装置,其中该能量施用装置系设于管装置内部。 6.如申请专利范围第1至3项中任一项之控制流体内 分子簇之装置,其中该管装置分成至少二管段而该 能量施用装置系设于二管段间,而该能施用装置内 周面暴露于管装置内侧。7.如申请专利范围第2项 之控制流体内分子簇之装置,其中该至少二电极具 有不同电化电位,以提供一自生电场。8.如申请专 利范围第2项之控制流体内分子簇之装置,其中该 至少二电极系由外部供电源赋能。9.如申请专利 范围第3项之控制流体内分子簇之装置,其中该至 少二磁极片系由永久磁铁赋能。10.如申请专利范 围第3项之控制流体内分子簇之装置,其中该至少 二磁极片系由电磁装置赋能。11.如申请专利范围 第4项之控制流体内分子簇之装置,其中该能施用 装置为至少二个环绕管装置周缘的薄电极元件,其 由插在其间的电绝缘膜彼此隔开。12.如申请专利 范围第4项之控制流体内分子簇之装置,其中该能 施用装置为至少二个环绕管装置周缘之薄电极板, 且该至少二电极元件之总厚度小于10mm。13.如申请 专利范围第4项之控制流体内分子簇之装置,其中 该能施用装置为至少二片薄电极元件,其彼此直接 接触并周缘环绕于该管装置。14.如申请专利范围 第13项之控制流体内分子簇之装置,其中该至少二 片薄电极元件具有不同的电化学电位,因此提供自 生电场。15.如申请专利范围第14项之控制流体内 分子簇之装置,其中电极之一为碳而另一为铝。16. 一种控制流体内分子簇之方法,其藉由设置在该管 装置的周围方向且呈流体流动之横向方向之至少 二个电极或至少二个磁极片,来生成一窄能量场, 并使流体横方向地流经该窄能场,该等电极及磁极 片相隔小于1mm。17.如申请专利范围第16项之控制 流体内分子簇之方法,其中该电极具有不同电化学 且为自行赋能。18.如申请专利范围第16项之控制 流体内分子簇之方法,其中该电极系由外部供电源 赋能。19.如申请专利范围第16项之控制流体内分 子簇之方法,其中该电极片系由永久磁铁赋能。20. 如申请专利范围第16项之控制流体内分子簇之方 法,其中该等磁极片系出电磁装置赋能。21.如申请 专利范围第16至20项中任一项之控制流体内分子簇 之方法,其中该电极系由其间的绝缘膜所隔开。22. 如申请专利范围第16至20项中任一项之控制流体内 分子簇之方法,其中该等电极系彼此直接作物理接 触。23.如申请专利范围第16.19及20项中任一项之控 制流体内分子簇之方法,其中该等磁极片系由薄的 非磁性介质相隔开。24.如申请专利范围第16.19及20 项中任一项之控制流体内分子簇之方法,其中该磁 极片系彼此直接作物理接触。图式简单说明: 第一图为半剖面示意透视图,显示根据本发明之第 一具体例施加窄横向电场至流线型流体系统之装 置及方法; 第二图为半剖面示意透视图,显示根据本发明之第 一具体例之修改,施加窄横向电场至流线型流体系 统之装置及方法; 第三图为半剖面示意透视图,显示根据本发明之第 二具体例施加窄横向磁场至流线型流体系统之装 置及方法; 第四图为半剖面示意透视图,显示根据本发明之第 二具体例之修改,施加窄横向磁场至流线型流体系 统之装置及方法; 第五图为半剖面图示意透视图,显示根据本发明之 第三具体例施加窄横向电场至流线型流体系统之 装置及方法; 第六图为半剖面示意透视图,显示根据本发明之第 四具体例施加窄横向磁场至流线型流体系统之装 置及方法; 第七图为半剖面示意透视图,显示根据本发明之第 五具体例施加窄横向电场至流线型流体系统之装 置及方法; 第八图为半剖面示意透视图,特写显示根据本发明 之具体例使用自生电场电极之单元之构造; 第九图为试验单元之示意图,示例说明由于簇大小 对流体流造成的涌浪效应; 第十图为根据本发明之试验之重量测量装置之示 意图;及 第十一图为根据本发明之试验用于体积膨胀测量 装置之示意图。 |
