SEMICONDUCTOR STRUCTURE FOR SEMICONDUCTOR COMPONENTS

摘要

Eine Halbleiterstruktur zur Herstellung von Halbleiterbauelementen, beispielsweise PNP-Transistoren, weist eine wannenförmige n-dotierte Zone (5) in einem p-dotierten Halbleitermaterial (1, 2) auf, die eine bis an die Oberfläche des Halbleitermaterials reichende p-dotierte Innenzone (6) umschliesst. Die wannenförmige n-dotierte Zone (5) hat ein Dotierung, die sehr viel stärker ist als die Dotierung der p-dotierten Innenzone (6). Die Halbleiterstruktur ist technologisch einfach zu fertigen und kompatibel zu modernen CMOS-Prozessen. Sie bildet eine Ausgangsstruktur insbesondere für einen vertikalen PNP-Transistor mit verbesserten elektrischen Eigenschaften, beispielsweise Stromverstärkung und Frequenzverhalten.