| 发明名称 | 电子发射装置和使用该装置的显示装置 | ||
| 摘要 | 一种具有高电子发射效率的电子发射装置。该装置包括:用金属或半导体制成的供电子层;在该供电子层上形成的绝缘层;以及在该绝缘层上形成的薄膜金属电极。所述绝缘层的膜厚为50nm或更大,而且所述供电子层的膜厚为2.5μm或更大,在供电子层和薄膜金属之间施加电场时,该电子发射装置发射电子。 | ||
| 申请公布号 | CN1252614A | 申请公布日期 | 2000.05.10 |
| 申请号 | CN98120468.6 | 申请日期 | 1998.10.22 |
| 申请人 | 先锋电子株式会社 | 发明人 | 吉泽淳志;小笠原清秀;吉川高正;中马隆;根岸伸安;岩崎新吾;伊藤宽;山田高士;柳沢秀一;酒村一到 |
| 分类号 | H01J1/30;H01J31/12;G09F9/33 | 主分类号 | H01J1/30 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 过晓东 |
| 主权项 | 1、一种电子发射装置，其包括：用金属或半导体制成的供电子层；在该供电子层上形成的绝缘层；以及在该绝缘层上形成的、并朝向真空空间的薄膜金属电极，该装置的特征在于，所述绝缘层的膜厚为50nm或更大，而且所述供电子层的膜厚为2.5μm或更大，在供电子层和薄膜金属之间施加电场时，该电子发射装置发射电子。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||