| 发明名称 | 氧化硅膜的制造方法、半导体装置的制造方法、半导体装置、显示装置和红外光照射装置 | ||
| 摘要 | 一种氧化硅膜的制造方法,其特征在于,包括利用气相淀积法形成氧化硅膜的工序以及对该氧化硅膜照射红外光的工序。因此,按照本发明,可将在较低的温度下形成的质量较低的氧化硅膜改善为质量高的氧化硅膜。在将本发明应用于薄膜半导体装置的情况下,可制造工作可靠性高的高性能半导体装置。 | ||
| 申请公布号 | CN1252893A | 申请公布日期 | 2000.05.10 |
| 申请号 | CN98804239.8 | 申请日期 | 1998.12.25 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社;三菱电机株式会社 | 发明人 | 宫坂光敏;坂本孝雄 |
| 分类号 | H01L21/316;C23C16/40;H01L29/786;H01L21/336 | 主分类号 | H01L21/316 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种氧化硅膜的制造方法，其特征在于，包括：利用气相淀积法形成氧化硅膜的工序；以及对该氧化硅膜照射红外光的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||