半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件，它具有无任何多余面积的所需的最小元件构成的很少的功能元件。因此，能明显地减小所占面积，并具有第一导电型（例如Ｐ阱）的第一半导体区，和形成在第一半导体区上或下的，具有与第一导电型不同的第二导电型的第二半导体区（例如源区或漏区），其中形成电气连接到第一半导体区的电极，通过第二半导体区，上述电极使第一半导体区与第二半导体区短路。

主权项

1.一种具有一个半导体主体包括一个垂直场效应晶体管的半导体器件，包括：a)第一导电类型的第一和第二半导体区(53和51或201和203)以提供源区和漏区；b)设置在第二半导体区上的与第一导电类型不同的第二导电类型的第三半导体区(52或202)，具有一个将第一和第二半导体区(53和51或201和203)隔开的部分并提供一个导电的沟道区；c)一个栅极(55)，由绝缘材料(54)将之与导电沟道区隔开，使得源区，导电沟道区和漏区沿着栅极(55)的一个侧表面排列；以及d)一个沿第三半导体区(52或202)延伸的电极(60或61)与第二半导体区(51或203)电接触，从而使第二和第三半导体区短路。