| 发明名称 |
FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH AN INSULATED ENHANCED-CHANNEL GATE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
PL329415(A1) |
申请公布日期 |
2000.05.08 |
| 申请号 |
PL19980329415 |
申请日期 |
1998.10.27 |
| 申请人 |
POLITECHNIKA LODZKA |
发明人 |
LISIK ZBIGNIEW;SZMIDT JAN |
| 分类号 |
H01L29/739;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/739 |
主分类号 |
H01L29/739 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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