制造半导体器件的方法

摘要

制造半导体装置例如薄膜晶体管的方法，它是在即低于非晶态硅的常规结晶温度，也低于衬底的玻璃转变点温度的一个温度中，对一个实质上非晶态硅膜进行退火以便使该硅膜结晶。镍、铁、钴、铂、硅化物、醋酸盐或硝酸盐的岛状，条状，线状或点状物，包含有各种盐的膜，包含了镍、铁、钴、和钯中至少一种的粒子或束状物可被用作为用于结晶的起动材料。在非晶态硅膜的上面或下面形成这些材料。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：在衬底上形成包括硅的半导体膜；配置一与所说半导体膜相接触的催化物，所说催化物能促进所说半导体膜的晶化；加热所说配备以所说催化物的半导体膜，以晶化所说半导体膜；以及在所说加热后，使该半导体膜在含氯气的气氛下退火，以除去在所说半导体膜中所含的至少一部分所催化物，其中所说催化物包括选自由镍、铁、钴、铂和钯组成的组合中的一种金属。