发明名称 | 半导体器件电容器及其制造方法 | ||
摘要 | 在一片基片上形成具有顶板和底板的第一和第二想象电容器。通过金属导线将第一想象电容器的顶板和第二想象电容器的底板相连接,由此形成实际电容器的第一板。用金属导线将第一想象电容器的底板和第二想象电容器的顶板相连,形成实际电容器的第二板。在上述的第一板和第二板之间形成一层绝缘膜就产生本发明的实际电容器。该实际电容器的第一板和其第二板具有相同的面积。 | ||
申请公布号 | CN1052111C | 申请公布日期 | 2000.05.03 |
申请号 | CN95120333.9 | 申请日期 | 1995.10.27 |
申请人 | 现代电子产业株式会社 | 发明人 | 宋泽根 |
分类号 | H01L21/02;H01L29/68 | 主分类号 | H01L21/02 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 萧掬昌;王忠忠 |
主权项 | 1.一个半导体器件电容器,其特征在于包括:一个第一板,它是按以下方式形成的,在形成具有顶板和底板的第一和第二电容器以后,将所述第一电容器的顶板用金属导线和所述第二电容器的底板相连接;一个第二板,它是按下述方式形成的,用金属导线将所述第一电容器的底板和所述第二电容器的顶板连接起来;以及一个在所述第一和第二板之间形成的绝缘介质膜。 | ||
地址 | 韩国京畿道 |