| 主权项 |
1.一种智慧性DRAM更新之方法,每隔一固定时间周期完成一特定次数的DRAM更新周期,该方法包括:判断该固定时间周期内所剩的时间是否大于未完成次数的DRAM更新周期所需之时间;当该固定时间周期内所剩的时间不大于未完成次数的DRAM更新周期所需之时间,则将未完成次数的DRAM更新周期全部做完,并且结束该智慧性DRAM更新之方法;判断是否有发生DRAM闲置的一特殊周期;当没有发生该特殊周期,则回到判断该固定时间周期内所剩的时间是否大于未完成次数的DRAM更新周期所需之时间的该步骤;以及当发生该特殊周期,则插入一次DRAM更新周期,并且回到判断该固定时间周期内所剩的时间是否大于未完成次数的DRAM更新周期所需之时间的该步骤。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,当发生该特殊周期,更可插入复数次DRAM更新周期。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该特殊周期选自于一快取命中周期、一输入/输出周期、一中断认知周期与一闲置周期。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该固定周期为64ms,该特定次数为4096次。5.一种智慧性DRAM更新之方法,每隔一固定时间周期发动一次DRAM更新周期,该方法包括:判断是否有发生DRAM闲置的一特殊周期;当发生该特殊周期,则执行一次DRAM更新周期,并结束该智慧性DRAM更新之方法;判断该固定时间周期是否到达;当该固定时间周期到达,则塞入一次DRAM更新周期,并结束该智慧性DRAM更新之方法;以及回到判断是否有发生该特殊周期的该步骤。6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中,该特殊周期选自于一快取命中周期、一输入/输出周期、一中断认知周期与一闲置周期。7.如申请专利范围第5项所述之方法,其中,该固定周期为(64ms/4096)。图式简单说明:第一图显示一种习知Hidden Refresh之方法步骤图;第二图显示本发明第一较佳实施例之一种智慧性DRAM更新方法步骤图;以及第三图显示本发明第二较佳实施例之一种智慧性DRAM更新方法步骤图。 |
