| 主权项 |
1.一种动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,包括下列步骤:(a)提供一具有电容器接触窗的半导体基底;(b)在上述半导体基底上方形成一连接该电容器接触窗的第1复晶矽层;(c)在上述第1复晶矽层上方依序形成一氧化层与一氮氧矽化合物层;(d)依序蚀刻上述氮氧矽化合物层、氧化层、以及第1复晶矽层,以形成连接该接触窗的氮氧矽化合物、氧化物、第1复晶矽构成之叠层;(e)由该叠层侧壁施以氧化物蚀刻以及复晶矽蚀刻,以构成氮氧矽化合物层面积大于氧化层,而氧化层面积大于第1复晶矽层的双T形叠层构造;(f)在上述双T形叠层构造的上表面及侧壁形成一第2复晶矽层;(g)非等向性蚀刻该第2复晶矽层,以去除上述氮氧矽化合物层上表面及侧壁的第2复晶矽;(h)去除氮氧矽化合物层以及氧化层,使留下的第2复晶矽层与第1复晶矽层形成电容器的冠状下电极板;以及(i)在上述下电极板表面形成一介电质层以及一上电极板以构成一电容器。2.如申请专利范围第1项所述之电容器的制造方法,其中步骤(c)之氧化层系利用化学气相沈积法形成的硼磷矽玻璃层。3.如申请专利范围第1项所述之电容器的制造方法,其中步骤(h)系利用氢气酸加以完成。4.如申请专利范围第1项所述之电容器的制造方法,其中上述第1.2复晶矽层系植入离子之掺杂复晶矽层。5.如申请专利范围第1项所述之电容器的制造方法,其中上述第1复晶矽层的厚度介于1400-1600A。6.如申请专利范围第5项所述电容器的制造方法,其中上述氧化层的厚度介于6000-8000A之间。7.如申请专利范围第6项所述之电容器的制造方法,其中上述氮氧矽化合物层的厚度介于500-700A之间。8.如申请专利范围第7项所述之电容器的制造方法,其中上述第2复晶矽层的厚度介于500-1100A之间。9.如申请专利范围第1项所述之电容器的制造方法,其中该半导体基底系p型离子矽基底。10.如申请专利范围9项所述之电容器的制造方法,其中该电容器接触窗与电晶体之n型离子源极/汲极区域连接。11.一种动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,包括下列步骤:(a)提供一表面形成有绝缘层的p型半导体基底,该绝缘层内具有连接n型离子源极/汲极区域的电容器接触窗;(b)在上述半导体基底上方形成一连接该电容器接触窗的第1掺杂复晶矽层;(c)在上述第1掺杂复晶矽层上方依序形成一硼磷矽玻璃层与一氮氧矽化合物层;(d)依序蚀刻上述氮氧矽化合物层、硼磷矽玻璃层、以及第1掺杂复晶矽层,以形成连接该接触窗的氮氧矽化合物、硼磷矽玻璃层、第1掺杂复晶矽构成之叠层;(e)由该叠层侧壁施以硼磷矽玻璃蚀刻以及复晶矽蚀刻,以构成氮氧矽化合物层面积大于硼磷矽玻璃层,而硼磷矽玻璃层面积大于第1掺杂复晶矽层的双T形叠层构造;(f)在上述双T形叠层构造的上表面及侧壁形成一第2掺杂复晶矽层;(g)非等向性蚀刻该第2掺杂复晶矽层,以去除上述氮氧矽化合物层上表面及侧壁的第2掺杂复晶矽;(h)利用氢氟酸去除氮氧矽化合物层以及硼磷矽玻璃,使留下的第2掺杂复晶矽层与第1掺杂复晶矽层形成电容器的冠状下电极板;以及(i)在上述下电极板表面形成一介电质层以及一上电极板以构成一电容器。12.如申请专利范围第11项所述之电容器的制造方法,其中上述第1掺杂复晶矽层的厚度介于1400-1600A。13.如申请专利范围第12项所述电容器的制造方法,其中上述硼磷矽玻璃层的厚度介于6000-8000A之间。14.如申请专利范围第13项所述之电容器的制造方法,其中上述氮氧矽化合物层的厚度介于500-700A之间。15.如申请专利范围第14项所述之电容器的制造方法,其中上述第2掺杂复晶矽层的厚度介于500-1100A之间。图式简单说明:第一图A-第一图D为习知动态随机存取记忆体之电容器冠状下电极的制程剖面图。第二图A-第二图G为根据本发明较佳实施例之动态随机存取记忆体之冠状电容器极的制程剖面图。 |
