| 主权项 |
1.一种浅沟槽隔离结构(STI)之轮廓(profile)即时监测(in-line monitor)方法,包括下列步骤:(a)选择数片晶圆作为样本,并对之分别实施隔离制程,该制程包含利用电浆进行蚀刻程序以形成浅沟槽;(b)于蚀刻程序中量测该些晶圆与电浆之直流偏压差;(c)个别比较该些直流偏压差与浅沟槽之轮廓关系,形成一对照表;以及(d)对后续晶圆实施隔离制程,量测该些晶圆与电浆之直流偏压差,以依据该对照表得出对应的浅沟槽轮廓。2.如申请专利范围第1项所述之即时监测方法,其中,该步骤(a)利用之电浆为部份离子化气体,用来对晶圆进行特定方向性之离子轰击,以蚀刻形成浅沟槽。3.如申请专利范围第1项所述之即时监测方法,其中,该步骤(a)之浅沟槽轮廓具有一倾斜角度。4.如申请专利范围第3项所述之即时监测方法,其中,步骤(c)系个别比较该些直流偏压差与浅沟槽之轮廓倾斜角度之关系,形成一对照表。5.如申请专利范围第1项所述之即时监测方法,其中,该电浆为交流式电浆。6.如申请专利范围第1项所述之即时监测方法,其中,该电浆为射频电浆。7.如申请专利范围第1项所述之即时监测方法,其中,该电浆为溴化氢电浆。8.一种浅沟槽隔离结构之轮廓即时监测方法,包括下列步骤:(a)选择数片晶圆作为样本,并对之分别实施隔离制程,该制程包含利用电浆进行乾蚀刻程序以形成浅沟槽,其中该浅沟槽之轮廓具有一倾斜角度;(b)量测该些晶圆与电浆之直流偏压差;(c)个别比较该些直流偏压差与浅沟槽之轮廓倾斜角度之关系,形成一对照表;以及(d)对后续该些直流自我偏压値晶圆实施隔离制程,量测该些晶圆与电浆之直流偏压差,以依据该对照表得出对应的浅沟槽轮廓之倾斜角度。9.如申请专利范围第1项所述之即时监测方法,其中,该步骤(c)为选择对该些晶圆进行切割,并观察该浅沟槽之轮廓剖面,以得出其倾斜角度,并由该些对应晶圆与电浆之直流偏压差形成对照表。图式简单说明:第一图至第六图系显示一种浅沟槽隔离结构之隔离制程剖面图。第七图系显示本发明之实施例中,一种浅沟槽隔离结构(STI)之轮廓(profile)即时监测(in-line monitor)方法流程图。第八图系显示本发明之一实施例中,各晶圆与电浆之直流偏压差与浅沟槽之轮廓倾斜角度的关系图。 |
