旋涂式玻璃平坦化方法

摘要

一种旋涂式玻璃平坦化方法，包括:首先提供一基底，且于基底上已完成导线之制造。在基底上依序形成共形介电层以及旋涂式玻璃层，接着，在旋涂式玻璃层上再涂布一层Accuflo层。然后，进行Accuflo层以及旋涂式玻璃层之平坦化步骤。续之，在基底上形成一层介电层，完成平坦化制程。由于Accuflo层具有比旋涂式玻璃层还要良好的流动性，且经由控制回蚀刻选择比，可以去除表面积较大之导线上面的旋涂式玻璃层，而不会使其他区域有蚀刻凹陷的问题，以达到良好之平坦度。

主权项

1.一种旋涂式玻璃平坦化方法,适用于一基底,该基底上已形成一导线,包括:于该基底上,形成一共形介电层;于该共形介电层上,形成一旋涂式玻璃层;于该旋涂式玻璃层上,形成一Acculfo层;剥除部分该Acculfo层以及该导线上方之该旋涂式玻璃层,直到裸露出该导线上方之该共形介电层之表面;剥除另一部份之该Accuflo层,直到暴露出该旋涂式玻璃层;以及于该基底上,形成一介电层。2.如申请专利范围第1项所述之旋涂式玻璃平坦化方法,其中剥除部分该Acculfo层以及该导线上方之该旋涂式玻璃层的方法包括一乾式蚀刻法。3.如申请专利范围第2项所述之旋涂式玻璃平坦化方法,其中该乾式蚀刻法系包含一高蚀刻选择比之蚀刻气体,其剥除步骤包括:控制蚀刻该Accuflo层之速度大于蚀刻该旋涂式玻璃层之速度,直到裸露出部分该旋涂玻璃层之表面;以及控制蚀刻该旋涂式玻璃层之速度大于蚀刻该Accuflo层之速度,直到裸露出该导线上之该共形介电层的表面。4.如申请专利范围第1项所述之旋涂式玻璃平坦化方法,其中剥除另一部份之该Accuflo层的方法包括以一电浆剥除法配合一溶剂清洗完成剥除。5.如申请专利范围第4项所述之旋涂式玻璃平坦化方法,其中该电浆剥除法包括以氧为气体源之电浆剥除法。6.如申请专利范围第4项所述之旋涂式玻璃平坦化方法,其中该溶剂包括有机溶剂。7.如申请专利范围第4项所述之旋涂式玻璃平坦化方法,其中该溶剂包括无机溶剂。8.如申请专利范围第1项所述之旋涂式玻璃平坦化方法,其中形成该共形介电层之方法包括电浆加强型化学气相沉积法。9.如申请专利范围第1项所述之旋涂式玻璃平坦化方法,其中形成该介电层之方法包括电浆加强型化学气相沉积法。10.一种旋涂式玻璃平坦化方法,适用于一基底,该基底上已形成一导线,包括:于该基底上,形成一共形介电层;于该第一介电层上,形成一旋涂式玻璃层;于该旋涂式玻璃层上,形成一Acculfo层;以高蚀刻选择比之一乾式蚀刻法,剥除部分该Accuflo层以及该导线上方之旋涂式玻璃层,直到裸露出该共形介电层之表面;剥除另一部份之该Accuflo层,直到暴露出该旋涂式玻璃层;以及于该基底上,形成一介电层。11.如申请专利范围第10项所述之旋涂式玻璃平坦化方法,其剥除部分该Accuflo层以及该导线上方之旋涂式玻璃层之步骤包括:控制蚀刻该Accuflo层之速度大于蚀刻该旋涂式玻璃层之速度,直到裸露出部分该旋涂玻璃层之表面;以及控制蚀刻该旋涂式玻璃层之速度大于蚀刻该Accuflo层之速度,直到裸露出该导线上之该共形介电层的表面。12.如申请专利范围第10项所述之旋涂式玻璃平坦化方法,其中剥除另一部份之该Accuflo层的方法包括以一电浆剥除法配合一溶剂清洗完成剥除。13.如申请专利范围第12项所述之旋涂式玻璃平坦化方法,其中该电浆剥除法包括以氧为气体源之电浆剥除法。14.如申请专利范围第12项所述之旋涂式玻璃平坦化方法,其中该溶剂包括有机溶剂。15.如申请专利范围第12项所述之旋涂式玻璃平坦化方法,其中该溶剂包括无机溶剂。16.如申请专利范围第10项所述之旋涂式玻璃平坦化方法,其中形成该共形介电层之方法包括电浆加强型化学气相沉积法。17.如申请专利范围第10项所述之旋涂式玻璃平坦化方法,其中形成该介电层之方法包括电浆加强型化学气相沉积法。图式简单说明:第一图A至第一图C系显示习知一种三明治式有回蚀平坦化制程流程的剖面图;第二图A至第二图B系显示习知一种光阻回蚀刻平坦化制程流程的剖面图;以及第三图A至第三图C系显示根据本发明较佳实施例之旋涂式玻璃平坦化方法流程的剖面图;