| 主权项 |
1.一种显示记忆体之测试方法,该方法至少包含:取得一第一显示器之类型;取得该第一显示器之一显示模式,系在该第一显示器会占用一第一显示记忆体之情况下;计算一缓冲区之大小,其中该缓冲区即为该第一显示器所占用之该第一显示记忆体;执行一第二显示记忆盘之测试;及执行该缓冲区之测试,系利用一第二显示器加以测试。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述取得该第一显示器之类型之步骤,更包含当该第一显示器不占用一显示记忆体时执行该显示记忆体之测试步骤。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述取得该第一显示器之类型之步骤,更包含利用一中央处理器(CPU)之系统中断加以执行之步骤。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述取得该第一显示器之该显示模式之步骤更包含了下列步骤:执行一中央处理器之系统中断;取得一显示模式位址;取得一像素解析度(pixel resolution),其中该像素解析度系由该显示模式位址而得;取得一颜色解析度,其中该颜色解析度系由该显示模式位址而得。5.如申请专利范围第4项之方法,其中上述之缓冲区之大小乃和该像素解析度有关。6.如申请专利范围第4项之方法,其中上述之缓冲区之大小乃和该颜色解析度有关。7.如申请专利范围第1项之方法,其中在执行该第二显示记忆体之测试步骤之后,更包含不执行该缓冲区之测试步骤。8.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一显示器为双扫描超扭曲(Dual-scan Super Twisted Nematic,DSTN)显示器。9.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第二显示器为阴极射线管(CRT)显示器。10.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之缓冲区乃占用一显示记忆体之高位址(address)区。11.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之缓冲区之大小乃和该显示模式有关。12.一种显示记忆体之测试方法,该方法至少包含下列步骤:取得一第一显示器之类型;取得该第一显示器之一显示模式,系在该第一显示器会占用一第一显示记忆体之情况下;执行一第二显示记忆体之测试;及执行该第一显示记忆体之测试,系利用一第二显示器加以测试。13.如申请专利范围第12项之方法,其中上述取得该第一显示器之类型之步骤,更包含当该第一显示器不占用一显示记忆体时执行该显示记忆体之测试步骤。14.如申请专利范围第12项之方法,其中上述取得该第一显示器之类型之步骤,更包含利用一中央处理器(CPU)之系统中断加以执行之步骤。15.如申请专利范围第12项之方法,其中上述取得该第一显示器之该显示模式之步骤,更包含下列之步骤:执行一中央处理器之系统中断;取得一显示模式位址;取得一像素解析度(pixel resolution),其中该像素解析度系由该显示模式位址而得;取得一颜色解析度,其中该颜色解析度系由该显示模式位址而得。16.如申请专利范围第15项之方法,其中上述之第一显示记忆体之大小乃和该像素解析度有关。17.如申请专利范围第15项之方法,其中上述之第一显示记忆体之大小乃和该颜色解析度有关。18.如申请专利范围第12项之方法,其中在执行该第二显示记忆体之测试步骤之后,更包含不执行该第一显示记忆体之步骤。19.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之第一显示器为双扫描超扭曲(Dual-scan Super Twisted Nematic, DSTN)显示器。20.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之第二显示器为阴极射线管(CRT)显示器。21.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之第一显示记忆体乃占用一显示记忆体之高位址(address)区。22.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之第一显示记忆体之大小乃和该显示模式有关。23.一种显示记忆体之测试方法,该方法至少包含:取得一第一显示器之类型;执行一第一显示记忆体之测试,系在该第一显示器会占用一第二显示记忆体之情况下;执行该第二显示记忆体之测试,系利用一第二显示器加以测试。24.如申请专利范围第23项之方法,其中上述取得该第一显示器之类型之步骤,更包含当该第一显示器不占用一显示记忆体时执行该显示记忆体之测试步骤。25.如申请专利范围第23项之方法,其中上述取得该第一显示器之类型之步骤,更包含利用一中央处理器(CPU)之系统中断而取得该第一显示器之一显示模式之步骤。26.如申请专利范围第25项之方法,其中上述之取得该第一显示器之该显示模式之步骤,更包含下列之步骤:执行一中央处理器之系统中断;取得一显示模式位址;取得一像素解析度(pixel resolution),其中该像素解析度系由该显示模式位址而得;取得一颜色解析度,其中该颜色解析度系由该显示模式位址而得。27.如申请专利范围第26项之方法,其中上述之第二显示记忆体之大小乃和该像素解析度有关。28.如申请专利范围第26项之方法,其中上述之第二显示记忆体之大小乃和该颜色解析度有关。29.如申请专利范围第23项之方法,其中在执行该第一显示记忆体之测试步骤之后,更包含不执行该第二显示记忆体之步骤。30.如申请专利范围第23项之方法,其中上述之第一显示器为双扫描超扭曲(Dual-scan Super Twisted Nematic, DSTN)显示器。31.如申请专利范围第23项之方法,其中上述之第二显示器为阴极射线管(CRT)显示器。32.如申请专利范围第23项之方法,其中上述之第二显示记忆体乃占用一显示记忆体之高位址(address)区。图式简单说明:第一图所显示的为依照本发明测试电脑之显示记忆体之流程图;第二图A所显示的为依照本发明取得测试电脑之显示萤幕种类之流程图;第二图B所显示的为依照本发明取得测试电脑之显示模式的流程图;第三图所显示的为依照本发明之测试方法的硬体架构图;第四图所显示的为依照本发明之显示记忆体之对应内容。 |
