| 主权项 |
1.一种铁电性记忆装置,由多数对相互邻接的位元线组成,包含:多数之记忆单元,分别连接于前述位元线,各该记忆单元由一铁电性电容器及一MOS电晶体组成,其中前述铁电性电容器之铁电性材料的极化方向对应至储存于前述记忆单元中的资料,二个虚设单元,分别连接于前述位元线,各该虚设单元与前述记忆单元具有相同的结构及相同的铁电性电容器;其中该虚设单元之铁电性电容器之铁电性材料的极化方向被设定成使得在读取储存于前述虚设单元中的资料时并不会被反向;以及一感测放大器,连接于该等位元线,设有刻意地使其不平衡以于其内产生偏移量之装置,且依由该偏移量所产生之一电压及自前述虚设单元读取的一讯号电压为基准而读取储存于该记忆单元中的资料。2.如申请专利范围第1项之铁电性记忆装置,其中:该产生偏移量之装置包含两MOS电晶体,分别和串联于各位元线的该感测放大器之电路元件相连接,且当储存于前述虚设单元中的资料被读取时令其中一个电晶体成为ON。3.如申请专利范围第2项之铁电性记忆装置,其中:该两MOS电晶体为PMOS电晶体。4.如申请专利范围第2项之铁电性记忆装置,其中:该两MOS电晶体为NMOS电晶体。图式简单说明:第一图为一用以说明产生基准电压的一习用方法之电路图。第二图为一用以说明产生基准电压的一习用方法之电路图。第三图为一用以说明产生基准电压的一习用方法之电路图。第四图为依本发明第一较佳实施例之铁电性记忆装置之电路图。第五图为依本发明第二较佳实施例之铁电性记忆装置之电路图。第六图A为显示当储存于本发明之铁电性记忆装置的记忆单元中之资料被读取时,位元线的电压在时间域中(time domain)的变化之图式。第六图B为显示当储存于本发明之铁电性记忆装置的记忆单元中之资料被读取时,位元线的电压在时间域中(time domain)的变化之图式。第七图为显示铁电性材料的介电质磁滞现象(hysteresis)之图式。第八图为显示铁电性材料的极化电荷量与读取周期次数之间的关系之图式。 |
