| 主权项 |
1.一种半导体发光元件之制造方法,主要系,以II族而使用Zn,Be,Mg,Cd或Hg其中之至少1种以上之元素,及VI族而使用Se,S,Te中之至少一种以上之元素之II-VI族化合物半导体所成,具有第1及第2导电型包覆层及活性层之半导体发光元件之制造方法中,其特征为将上述活性层之成膜时之VI族元素与II族元素之供给比VI/II选定于大于1.1而实施上述活性层之成膜者。2.如申请专利范围第1项所述之半导体发光元件之制造方法,其中,将上述活性层之成膜时之VI族元素与II族元素之供给比VI/II选定于1.5以上而实施上述活性层之成膜者。3.如申请专利范围第1项所述之半导体发光元件之制造方法,其中上述活性层之成膜时之VI族元素与II族元素之供给比VI/II选定于1.5-10而实施上述活性层之成膜者。4.如申请专利范围第1项所述之半导体发光元件之制造方法,其中上述活性层之成膜时之VI族元素与II族元素之供给比VI/II选定于1.5-3.0而实施上述活性层之成膜者。5.如申请专利范围第1项所述之半导体发光元件之制造方法,其中上述活性层系由Zn、Cd、Se或Zn、Cd、S、Se层而形成者。6.如申请专利范围第1项所述之半导体发光元件之制造方法,其中将上述活性层系由Zn、Cd、Be、Se层而形成者。图式简单说明:第一图系依本发明制造方法所获得之半导体发光元件之一例之概略剖面图。第二图系实施本发明制造方法之MBE装置之一例之概略说明图。第三图系表示ZnCdSe中之VI/II比与Cd之对于ZnCdSe之取入量之关系之测定结果图。第四图系表示依本发明之制造方法所获得之半导体发光元件之VI/II比之寿命之关系之测定结果之图。第五图系表示依本发明制造方法所获得之半导体发光元件之其他一例之概略剖面图。 |
