发明名称 显示装置
摘要 本发明之目的在于提供:能够利用供以在基板上区划出有机半导体膜的形成区域之绝缘库层,防止电寄生在资料线、驱动电路之显示装置。基于这种目的,本发明的显示装置系在于像素区域(7)形成:用来构成EL(电激发光;electro-luminescence)元件或者LED(发光二极体)元件等的发光元件的有机半导体膜的时候,预先在其周围形成以黑色的光阻剂所成的绝缘库层(bank)。并且在于用来将画像讯号供给到像素区域(7)的第1 TFT(20)和保持电容(cap)的资料线( sig)与对向电极(op)之间,也形成这种绝缘库层(bank),以防止电寄生在资料线(sig)。
申请公布号 TW388853 申请公布日期 2000.05.01
申请号 TW087110664 申请日期 1998.07.01
申请人 精工爱普生股份有限公司 发明人 小泽德郎
分类号 G09G3/30 主分类号 G09G3/30
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种显示装置,系在于基板上具有:复数条扫描线;和朝向与该扫描线的延伸方向交叉的方向延伸的复数条资料线;和与该资料线呈并列的复数条共通供电线;和被前述资料线与前述扫描线形成阵列状的像素区域;而各个像素区域又具备:让扫描讯号经由前述扫描线供给到第1闸极电极的第1薄膜电晶体;和用以保持着自前述资料线经由该第1薄膜电晶体所供给的画像讯号之保持电容;和让该保持电容所保持的前述画像讯号被供给到第2闸极电极之第2薄膜电晶体;和具有:在形成于前述每一个像素区域的像素电极以及跨过前述资料线而对应于复数个前述像素电极的对向电极的层之间,根据当前述像素电极经由前述第2薄膜电晶体与前述共通供电线电导通时流经前述像素电极与前述对向电极之间的驱动电流而发光的有机半导体膜之发光元件,该显示装置的特征为:前述有机半导体膜之中,发光区域系包覆着由较之前述有机半导体膜更厚的绝缘膜所组成的绝缘库层(Bank),并且该绝缘库层系被制作成包覆前述资料线的至少一部份。2.如申请专利范围第1项之显示装置,其中在于前述基板上,除了形成前述复数个像素区域之外,也形成对于前述资料线输出前述画像讯号的第1驱动电路与对于前述扫描线输出前述扫描讯号的第2驱动电路之中的至少其中一方的驱动电路,并且该驱动电路系被前述绝缘库层所包覆。3.一种显示装置,系在于基板上具有:复数条扫描线;和朝向与该扫描线的延伸方向垂直交叉的方向延伸的复数条资料线;和与该资料线呈并列的复数条共通供电线;和对于前述资料线输出前述画像讯号的第1驱动电路与对于前述扫描线输出前述扫描讯号的第2驱动电路之中的至少其中一方的驱动电路;和被前述资料线与前述扫描线形成阵列状的像素区域;而各个像素区域又具备:让扫描讯号经由前述扫描线供给到第1闸极电极的第1薄膜电晶体;和用以保持着自前述资料线经由该第1薄膜电晶体所供给的画像讯号之保持电容;和让该保持电容所保持的前述画像讯号被供给到第2闸极电极之第2薄膜电晶体;和具有:在形成于前述每一个像素区域的像素电极以及跨过前述资料线而对应于复数个前述像素电极的对向电极的层之间,根据当前述像素电极经由前述第2薄膜电晶体与前述共通供电线电导通时流经前述像素电极与前述对向电极之间的驱动电流而发光的有机半导体膜之发光元件,该显示装置的特征为:前述有机半导体膜之中,发光区域系包覆着由较之前述有机半导体膜更厚的绝缘膜所组成的绝缘库层(Bank),并且该绝缘库层系被制作成包覆前述驱动电路。4.如申请专利范围第1.2或3项之显示装置,其中前述有机半导体膜系利用喷墨法(ink jet)形成于被前述绝缘库层所包覆的区域内的膜,前述绝缘库层系疏水性的膜。5.如申请专利范围第1.2或3项之显示装置,其中前利用述有机半导体膜系利用喷墨法形成于被前述绝缘库层所包覆的区域内的膜,前述绝缘库层的厚度超过1m。6.如申请专利范围第1.2或3项之显示装置,其中在前述像素电极的形成区域中的前述第1薄膜电晶体与前述第2薄膜电晶体重叠的区域,系被前述绝缘库层所包覆。7.如申请专利范围第1.2或3项之显示装置,其中前述绝缘库层系由黑色的光阻膜所构成。8.如申请专利范围第1.2或3项之显示装置,其中前述共通供电线的单位长度的电阻値系小于前述资料线的单位长度的电阻値。9.如申请专利范围第1.2或3项之显示装置,其中前述共通供电线与前述资料线的材料和膜厚度相同,且前述共通供电线的线宽度大于前述资料线的线宽度。10.如申请专利范围第1.2或3项之显示装置,其中在于前述共通供电线的两侧系配置着:与该共通供电线之间进行前述驱动电流的通电之像素区域,前述资料线系通过对该像素区域而言位于与前述共通供电线相反的一侧。11.如申请专利范围第10项之显示装置,在相当于通过对前述像素区域而言位于与前述共通供电线相反的一侧的两条资料线之间的位置处,形成有配线层。12.如申请专利范围第1.2或3项之显示装置,其中即使在沿着前述扫描线的延伸方向上相邻的任何像素区域之间,前述有机半导体膜的形成区域的中心的间距均相同。图式简单说明:第一图系以示意方式来说明应用了本发明的显示装置以及形成于该显示装置的绝缘库层的形成区域的说明图。第二图系显示应用了本发明的显示装置之方块图。第三图系显示应用了本发明的显示装置中的像素区域之扩大平面图。第四图系沿着第三图的A-A'的断面图。第五图系沿着第三图的B-B'的断面图。第六图(A)系沿着第三图的C-C'的断面图;第六图(B)系不将绝缘库层的形成区域扩张到包覆中继电极的构造之断面图。第七图系显示使用在第一图所示的显示装置之发光元件的I-V特性之曲线图。第八图系显示应用了本发明的显示装置的制造方法的制程之断面图。第九图系显示第一图所示的显示装置的改良例之方块图。第十图(A)系显示出形成在第九图所示的显示装置的暂代的配线层的断面图;第十图(B)系其平面图。第十一图系显示出第一图所示的显示装置的变形例的方块图。第十二图(A)系形成在第十一图所示的显示装置的像素之扩大平面图;第十二图(B)系其断面图。第十三图系传统的显示装置的方块图。第十四图(A)系形成于第十三图所示的显示装置的像素区域之扩大平面图;第十四图(B)系其断面图。
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