| 主权项 |
1.一种均匀回蚀基体上玻璃旋涂层的方法,该方法 包括: (a)在基体上形成第一玻璃旋涂层并固化处理该第 一玻璃旋涂层; (b)部份回蚀该第一玻璃旋涂层并同时形成聚合物 残渣在该玻璃旋涂层上; (c)停止该回蚀; (d)将该第一玻璃旋涂层暴露在含氧的电浆中,以从 该第一玻璃旋涂层上去除该聚合物残渣;和 (e)重复步骤(b)到(d)直到该第一玻璃旋涂层被回蚀 到期望的量为止。2.如申请专利范围第1项的方法, 其中该第一玻璃旋涂层暴露在电浆中,该电浆含有 从氧气、N2O、NO、H2O、He/O2.和Ar/O2组成的一组中选 出的气体。3.如申请专利范围第1项的方法,其中该 第一玻璃旋涂层暴露在下列条件的含氧的电浆中: 压力约在250到350毫托(mTorr)的范围内,射频功率约 在450到550瓦的范围内,电极间隙约在1.0到1.6公分的 范围内,氩气流量约在每分钟250到350标准立方公分 (sccm)的范围内,氧气流量约在每分钟2到7标准立方 公分的范围内和所需时间约在20到50秒的范围内。 4.如申请专利范围第1项的方法,其中该步骤(b)到(d) 进行的总次数约在二到五次之间。5.如申请专利 范围第1项的方法,其中该第一玻璃旋涂层的回蚀 是在含氟碳的电浆中进行。6.如申请专利范围第1 项的方法,其中该第一玻璃旋涂层的回蚀是在下列 条件下进行:CH4的流量约在每分钟15到40标准立方 公分的范围内,CHF3的流量约在每分钟50到100标准立 方公分的范围内,CH4:CHF3的比例约在3:10到6:10的范 围内,氩气的流量约在每分钟300到400标准立方公分 之间,射频功率约在450到550瓦的范围内,压力在300 到600毫托的范围内,在蚀刻过程中晶片温度约在25 到70℃之间。7.如申请专利范围第1项的方法,其中 该基体具有环状外形和该聚合物残渣在基体中比 在基体外围厚。8.如申请专利范围第1项的方法,其 中该玻璃旋涂层是用一层以上的玻璃旋涂层形成 者。9.如申请专利范围第1项的方法,其中该第一玻 璃旋涂层是由矽酸盐和矽氧烷组成的一组中选出 的材料所组成。10.如申请专利范围第1项的方法, 其中该第一玻璃旋涂层的蚀刻是以三氟甲烷(CHF3) 和四氟化碳(CF4)的蚀刻电浆化学作用进行。11.如 申请专利范围第1项的方法,其中该第一玻璃旋涂 层的回蚀是在CF4的流量约在每分钟15到40标准立方 公分的范围内,CHF3的流量约在每分钟50到100标准立 方公分的范围内,压力在300到600毫托的范围内,和 射频功率约在450到550瓦的范围内的条件下进行。 12.如申请专利范围第1项的方法,其中第一氧化矽 层是形成在该基体上和该第一玻璃旋涂层是形成 在该第一氧化矽层上。13.如申请专利范围第1项的 方法,其中第一氧化矽层是形成在该基体上,和该 第一玻璃旋涂层是形成在该第一氧化矽层上,该第 一氧化矽层系以电浆提升化学蒸气沉积法形成者, 其厚度约在1000到4000埃的范围内。14.如申请专利 范围第1项的方法,其中第一氧化矽层是形成在该 基体上和该第一玻璃旋涂层是形成在该第一氧化 矽层上,该第一玻璃旋涂层的厚度约在5000到7000埃 的范围内;该第一玻璃旋涂层和该第一氧化矽层的 总回蚀消耗该第一玻璃旋涂层约6000埃,和消耗该 第一氧化层约1500到2000埃之间。15.如申请专利范 围第13项的方法,其中更包括在步骤(e)之后,形成第 二玻璃旋涂层在基体表面上和形成第二氧化矽层 在该第二玻璃旋涂层上。16.一种均匀回蚀基体上 的玻璃旋涂(SOG)层的方法,该方法包括: (1)形成第一氧化矽层在基体表面上; (2)形成第一玻璃旋涂层在基体上;并固化与烘烤该 第一玻璃旋涂层。 (3)使用含氟碳电浆回蚀部份该第一玻璃旋涂层并 同时在该玻璃旋涂层上形成聚合物残渣; (4)停止回蚀; (5)将该第一玻璃旋涂层暴露在含氧的电浆中,以从 该第一玻璃旋涂层上去除该聚合物残渣; (6)重复步骤(3)到(5)直到该第一玻璃旋涂层被回蚀 到期望的量为止。17.如申请专利范围第16项的方 法,其中该第一玻璃旋涂层暴露在电浆中,此电浆 含有从氧气、N2O、NO、H2O、He/O2.和Ar/O2的组成的一 组中选出的气体。18.如申请专利范围第16项的方 法,其中该第一玻璃旋涂层暴露在含氧的电浆中, 是在下列条件下进行:压力约为250到350毫托的范围 内,射频功率约在450到550瓦的范围内,电极间隙约 在1.0到1.6公分的范围内,氩气流量约在每分钟250到 350标准立方公分的范围内,氧气流量约在每分钟2 到7标准立方公分的范围内和所需时间约在20到50 秒范围内。19.如申请专利范围第16项的方法,其中 该步骤(2)到(5)进行二到五次。20.如申请专利范围 第16项的方法,其中该第一玻璃旋涂层的回蚀是在 每分钟CH4的流量约15到40标准立方公分的范围内, CHF3的流量约在每分钟50到100标准立方公分的范围 内,和CH4:CHF3的比例约在3:10到6:10的范围内,氩气的 流量约在每分钟300到400标准立方公分之间,射频功 率约在450到550瓦的范围内,压力在300到600毫托的范 围内,在蚀刻过程中晶圆温度约在25到70℃之间的 条件下进行。21.如申请专利范围第16项的方法,其 中该基体具有环状外形和该聚合物残渣在基体中 心比在基体外围厚。22.如申请专利范围第16项的 方法,其中该玻璃旋涂层是用一层以上的玻璃旋涂 层形成者。23.如申请专利范围第16项的方法,其中 该第一玻璃旋涂层是由矽酸盐和矽氧烷组成的一 组选出的材料所组成。24.如申请专利范围第16项 的方法,其中该第一玻璃旋涂层的蚀刻是以三氟甲 烷(CHF3)和四氟化碳(CF4)的蚀刻电浆化学作用进行 之。25.如申请专利范围第16项的方法,其中该第一 玻璃旋涂层的回蚀是在CH4的流量约在每分钟15到40 标准立方公分的范围内,CHF3的流量约在每分钟50到 100标准立方公分的范围内,压力在300到600毫托的范 围内,射频功率约在450到550瓦的范围内的条件下进 行。26.如申请专利范围第16项的方法,其中一第一 氧化矽层是形成在该基体上和该第一玻璃旋涂层 是形成在该第一氧化矽层上。27.如申请专利范围 第16项的方法,其中系使用电浆提升化学蒸气沉积 法形成该第一氧化矽层;该第一氧化矽层的厚度约 在1000到4000埃的范围内。28.如申请专利范围第16项 的方法,其中形成的该第一玻璃旋涂层的厚度约在 5000到7000埃的范围内;该第一玻璃旋涂层和该第一 氧化矽层的总回蚀消耗该第一玻璃旋涂层约6000埃 ,消耗该第一氧化矽层约1500到2000埃之间。图式简 单说明: 第一图是一具玻璃旋涂层回蚀造成的聚合物涂膜 问题的基体的顶视图。 第二图是展示晶圆直径的聚合物厚度的图形。 第三图是一横断面图,用以解释本发明的形成与平 面玻璃旋涂层的方法。 第四图是本发明方法的步骤流程图。 |
