| 主权项 |
1.一种高压放电灯,包括: 一由一难熔玻璃材料所制成之玻璃罩壳; 由相同之难熔玻璃材料所制成且自该玻璃罩壳延 伸之密封组件; 一稀有气体和一在室温下为固体或液体之物质,被 密封于读玻璃罩壳内部; 部分嵌入该密封组件且设计用来供应电流至一在 该玻璃罩壳内形成之放电弧之导电金属构造;以及 气密密封件,系使至少一择自于金属和该等金属之 氧化物的一金属材料设于位在难熔玻璃材料与该 密封组件内之导电金属构造间之区域的附近,且该 导电金属构造系被气密地密封于难熔玻璃材料内 。2.依据申请专利范围第1项之高压放电灯,其中该 气密密封系藉分布该金属材料之一粉末于该导电 金属构造内而被形成。3.依据申请专利范围第1项 之高压放电灯,其中该气密密封系藉由提供该金属 材料之薄膜至该导电金属构造而形成。4.依据申 请专利范围第1项之高压放电灯,其中该气密密封 系藉由混合该金属材料之一粉末至该密封组件内 而形成。5.依据申请专利范围第1项之高压放电灯, 其中每一导电金属构造之一端系位于玻璃罩壳之 内部以维持一放电弧,其另一端系位于灯之外部以 供外部电连接。6.依据申请专利范围第1项之高压 放电灯,其中该导电金属构造为钨棒。7.依据申请 专利范围第1项之高压放电灯,其中该金属材料之 热膨胀系数实质上相同于或低于构成导电金属构 造之金属的热膨胀系数。8.依据申请专利范围第1 项之高压放电灯,其中该金层材料为钨、钼或氧化 铝。9.依据申请专利范围第1项之高压放电灯,其中 一氧化表面被形成在该导电金属构造嵌入密封组 件中之金属导体构造区域内之至少部分表面上。 10.依据申请专利范围第1项之高压放电灯,其中至 少汞被密封在该玻璃罩壳内部。11.依据申请专利 范围第1项之高压放电灯,其中至少一金属卤化物 被密封在该玻璃罩壳内。12.依据申请专利范围第1 项之高压放电灯,其中该气密密封件被形成在至少 部分之该密封组件中。13.依据申请专利范围第1项 之高压放电灯,其中该气密密封件系由熔点低于构 造该密封组件之玻璃材料熔点的玻璃材料所制成 。14.依据申请专利范围第13项之高压放电灯,其中 该金属材料系被混合至熔点低于构成该密封组件 之玻璃材料熔点的玻璃材料中。15.依据申请专利 范围第1项之高压放电灯,其中垂直于该导电金属 构造之主轴的横截面积在放电弧形成之端部的方 向上逐渐增加。16.一种高压放电灯,包括: 一由一难熔玻璃材料所制成之玻璃罩壳; 由相同之难熔玻璃材料所制成且自该玻璃罩壳延 伸之密封组件; 一被密封于该玻璃罩壳内部之稀有气体; 一置于该玻璃罩壳内之灯丝; 部分嵌入该密封组件且设计用来供应电流至该灯 丝之导电金属构造;以及 气密密封件,系使至少一择自于金属和该等金属之 氧化物的一金属材料设于位在难熔玻璃材料与该 密封组件内之导电金属构造间之区域的附近,且该 导电金属构造系被气密地密封于难熔玻璃材料内 。17.一种制造一高压放电灯之方法,包括至少以下 步骤: 制备一由难熔玻璃材料所制成且设有一玻璃罩壳 及延伸自该玻璃罩壳之管状组件的外管,以及供应 电流俾在该玻璃罩壳内形成一放电弧之导电金属 构造; 将该导电金属构造引入该管状组件以使得其一位 于该玻璃罩壳内部; 施加一种择自于金属或该等金属之氧化物中至少 一型态之金属材料于该导电金属构造与该管状组 件之内表面间;以及 加热及塌缩该管状组件以气密密封导电金属构造 。18.依据申请专利范围第17项制造一高压放电灯 之方法,其中施加该金属材料之步骤包括一粉末被 施加于该管状组件内表面之步骤。19.依据申请专 利范围第17项制造一高压放电灯之方法,其中施加 该金属材料之步骤包括一其中该金属材料之粉末 被施加至该导电金属构造之步骤。20.依据申请专 利范围第17项制造一高压放电灯之方法,其中施加 该金属材料之步骤包括一其中该金属材料之薄膜 被形成于该管状组件之内表面上的步骤。21.依据 申请专利范围第17项制造一高压放电灯之方法,其 中施加该金属材料之步骤包括一其中该金属材料 薄膜被形成于该导电金属构造上之步骤。22.依据 申请专利范围第18项制造一高压放电灯之方法,其 中该施加一金属材料至管状组件内表面上之步骤 包括一其中一SiO2粉末和一该等金属材料之粉末被 混合于一有机黏合剂溶液中,该有机黏合剂溶液被 施加至该管状组件之内表面,且具有该管状组件且 由难熔玻璃材料所组成之外管接着被热处理。23. 依据申请专利范围第20项制造一高压放电灯之方 法,其中在管状组件之内表面上形成一金属材料薄 膜之步骤包括将一对由该金属材料所制成之电极 导入至该管状组件中,且在该电极间供给高频功率 以造成一辉光放电且形成薄溅射膜。24.依据申请 专利范围第20项制造一高压放电灯之方法,其中在 管状组件之内表面上形成薄膜的步骤包括导入由 将金属材料置于一对金属端头所获得之电极至该 管状组件中,且在该等电极之间供给高频功率以造 成辉光放电并形成薄溅射膜。25.依据申请专利范 围第20项制造一高压放电灯之方法,其中在管状组 件之内表面上形成金属材料薄膜之步骤系使得一 对包括该金属材料之电极导入该管状组件中,施加 高频功率于该等金属电极之间,产生一辉光放电, 且溅射薄膜首先被形成且接着被氧化,生成氧化薄 膜。26.依据申请专利范围第17项制造一高压放电 灯之方法,其中施加该金属材料之步骤包括以下步 骤: 制备一玻璃粉末以及由一熔点低于该外管之熔点 的难熔材料所制成之管状构造; 将该等电极围封在该管状构造内;以及 在该等电极与该等管状构造之间的间隙中装填该 玻璃粉末。27.依据申请专利范围第26项制造一高 压放电灯之方法,进一步包括一压铸该玻璃粉末之 步骤。图式简单说明: 第一图为绘示一依据本发明之实施例1构成之高压 放电灯之图式。 第二图系一绘示具有一习知密封箔构造之高压放 电灯。 第三图为一绘示测量灯气性与耐受压力之测试用 灯。 第四图系一绘示垂直于电极主轴之横截面在产生 放电弧之方向逐渐增加的灯构造。 第五图为一绘示一依据本发明实施例2之放电电极 棒构造之图式。 第六图为形成一依据本发明实施例2成型之铸模的 构造图。 第七图为一绘示依据本发明实施例2之玻璃套筒之 构造图式。 第八图为一绘示制造一依据本发明实施例2之电极 模制件之方法的图式。 第九图为一绘示制造依据本发明实施例2之一电极 模制件之步骤之图式。 第十图为一绘示制造依据本发明实施例2之电极模 制件之方法之图式。 第十一图为一绘示依据本发明实施例2之电极模制 件构造之图式。 第十二图为绘示一相似于第九图中者之步骤之图 式。 第十三图系一绘示相似于第七图中者之构造之图 式。 第十四图为一绘示相似于第十一图中者之构造之 图式。 第十五图为一绘示一金属蒸气沈积在依据本发明 实施例2之电极棒上之制造方法的图式。 第十六图为一绘示依据本发明实施例2之电极构造 之图式。 第十七图为一绘示依据本发明实施例2之外管构造 之图式。 第十八图为一绘示依据本发明实施例2之制造方法 一步骤之图式。 第十九图为一绘示依据本发明实施例2之制造方法 一步骤之图式。 第二十图为一绘示依据本发明实施例2之制造方法 一步骤之图式。 第二十一图为一绘示依据本发明实施例2之制造方 法一步骤之图式。 第二十二图为一绘示依据本发明实施例2之制造方 法一步骤之图式。 第二十三图为一绘示依据本发明实施例2之制造方 法一步骤之图式。 第二十四图为一绘示依据本发明实施例2之制造方 法一步骤之图式。 第二十五图为一绘示依据本发明实施例2之制造方 法一步骤之图式。 第二十六图为一绘示依据本发明实施例2之制造方 法一步骤之图式。 第二十七图为绘示本发明实施例3之高压放电灯之 构造图。 第二十八图(a)为一绘示本发明实施例3之密封构造 的构造图。 第二十八图(b)为一绘示习知密封构造之构造图。 第二十九图为一示本发明实施例4之高压放电灯之 一构造图。 第三十图为一绘示依据本发明实施例5之高压放电 灯之制造方法一步骤之图式。 第三十一图为绘示依据本发明实施例5之一高压放 电灯之制造方法一步骤之图式。 第三十二图为一绘示依据本发明实施例5之一高压 放电灯之制造方法一步骤之图式。 第三十三图为一绘示依据本发明实施例5之一高压 放电灯之制造方法一步骤的图式。 第三十四图为依据本发明实施例5之一高压放电灯 之制造方法一步骤之图式。 第三十五图为依据本发明实施例5之一高压放电灯 之制造方法一步骤之图式。 第三十六图为一使用在制造依据本发明实施例6之 高压放电灯之方法中之一溅射装置的示意。 第三十七图为绘示本发明实施例6之高压放电灯之 一图式。 第三十八图为一绘示本发明实施例6之另一溅射装 置之图式。 第三十九图(a)、(b)为绘示一习知高压放电灯之密 封箔构造之图式。 第四十图为绘示一习知高压放电灯之密封杆构造 之图式。 |
