SEMICONDUCTOR MEMORY HAVING REDUNDANCY FUNCTION IN BLOCK WRITE OPERATION,申请号KR19970032843-传众专利搜索

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发明名称	SEMICONDUCTOR MEMORY HAVING REDUNDANCY FUNCTION IN BLOCK WRITE OPERATION
摘要
申请公布号	KR100252735(B1)	申请公布日期	2000.05.01
申请号	KR19970032843	申请日期	1997.07.15
申请人	NEC CORPORATION	发明人	MORO, CHISA
分类号	G11C11/401;G11C29/00;G11C29/04;(IPC1-7):G11C29/00	主分类号	G11C11/401
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