| 发明名称 |
SILICON GROWTH METHOD AND METHOD FOR MANUFACTURING MOS TRANSISTOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR100254687(B1) |
申请公布日期 |
2000.05.01 |
| 申请号 |
KR19930018327 |
申请日期 |
1993.09.13 |
| 申请人 |
SONY CORPORATION |
发明人 |
TACAHASHI, HIROSHI;NOGUCHI, TACASHI |
| 分类号 |
H01L21/20;H01L21/265;H01L21/335;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/786;(IPC1-7):H01L21/335 |
主分类号 |
H01L21/20 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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