REALISATION DE MUR D'ISOLEMENT

摘要

L'invention concerne un procédé de formation de mur d'isolement dans un substrat semiconducteur d'un premier type de conductivité, comprenant les étapes consistant à percer dans le substrat des évidements non jointifs selon le contour du mur d'isolement désiré; remplir les évidements d'un matériau contenant un dopant du deuxième type de conductivité; et procéder à une étape de recuit pour que des régions du deuxième type de conductivité diffusées à partir d'évidements voisins se rejoignent. Une première série d'évidements (20) est formée à partir de la face supérieure et une deuxième série d'évidements (30) est formée à partir de la face inférieure. Les évidements ont une section sensiblement rectangulaire dont la grande dimension est perpendiculaire à l'alignement des évidements et ont une profondeur inférieure ou égale à la demi épaisseur du substrat.