| 发明名称 |
Nitride crystal growth method |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2333521(B) |
申请公布日期 |
2000.04.26 |
| 申请号 |
GB19990009959 |
申请日期 |
1998.06.11 |
| 申请人 |
* HITACHI CABLE LTD. |
发明人 |
MASATOMO * SHIBATA;TAKASHI * FURUYA |
| 分类号 |
C01B21/06;C01B21/072;C30B9/00;C30B15/00;C30B19/00;(IPC1-7):C30B27/00;C30B29/38;C30B29/40 |
主分类号 |
C01B21/06 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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