| 主权项 |
1.一种动态随机存取记忆单元之电容器的制造方法,包括下列步骤:(a)提供一半导体基底,其上形成有一电晶体,包括闸极、源极和汲极区,以及一绝缘层,覆盖在该电晶体上;(b)在该绝缘层中形成一接触开口,用以露出该源极和汲极区之一当作接触区;(c)形成一第一复晶矽层覆盖在该绝缘层表面上,并填满该接触开口,藉此与该接触区作电性连接;(d)选择性地蚀刻该第一复晶矽层至该绝缘层表面为止,用以形成凹槽而界定出各电容器的范围;(e)形成一具粗糙表面的薄复晶矽层,覆盖在该第一复晶矽层和该绝缘层露出的表面上;(f)形成一遮蔽层覆盖在该薄复晶矽层上,其中该遮蔽层位于该凹槽底部部分的厚度较其他部分者为薄;(g)施行一非等向性蚀刻程序,用以去除该遮蔽层位于该凹槽底部的部分;(h)去除该薄复晶矽层未被该遮蔽层盖住的部分,露出该绝缘层的表面;(i)去除该遮蔽层,藉此剩余的该薄复晶矽层和该第一复晶矽层共同构成一电容器的储存电极;(j)在该储存电极和该绝缘层露出的表面上形成一介电质层;以及(k)在该介电质层上形成一第二复晶矽层,构成一相对电极,完成该动态随机存取记忆单元之电容器的制造。2.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆单元之电容器的制造方法,其中步骤(a)该绝缘层系由至少一硼磷矽玻璃(BPSG)层所构成,且在该些硼磷矽玻璃层之间形成有位元线。3.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆单元之电容器的制造方法,其中步骤(e)系以低压化学气相沈积(LPCVD)程序形成该具粗糙表面的薄复晶矽层。4.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆单元之电容器的制造方法,其中步骤(f)该遮蔽层系一利用矽甲烷或四乙基矽氧烷为原料所沈积的氧化层。5.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆单元之电容器的制造方法,其中步骤(j)该介电质层的材质系选自于由氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化钽、及铁电材料所构成之组群。6.一种积体电路电容器之储存电极的制造方法,包括下列步骤:(a)提供一半导体基底,其上覆盖有一绝缘层,该绝缘层中形成一接触开口;(b)形成一第一导电层覆盖在该绝缘层表面上,并填满该接触开口;(c)选择性地蚀刻该第一导电层至该绝缘层表面为止,用以形成凹槽而界定出各电容器器的范围;(d)形成一具粗糙表面的薄导电层,覆盖在该第一导电层和该绝缘层露出的表面上;(e)形成一遮蔽层覆盖在该薄导电层上,其中该遮蔽层位于该凹槽底部部分的厚度较其他部分者为薄;(f)施行一非等向性蚀刻程序,用以去除该遮蔽层位于该凹槽底部的部分;(g)去除该薄导电层未被该遮蔽层盖住的部分,露出该绝缘层的表面;以及(h)去除该遮蔽层,藉此剩余的该薄导电层和该共同构成一电容器的储存电极。7.如申请专利范围第6项所述之积体电路电容器之储存电极的制造方法,其中步骤(a)该绝缘层系一硼磷矽玻璃(BPSG)层。8.如申请专利范围第6项所述之积体电路电容器之储存电极的制造方法,其中步骤(b)该第一导电层系一复晶矽层。9.如申请专利范围第6项所述之积体电路电容器之储存电极的制造方法,其中步骤(d)系以低压化学气相沈积(LPCVD)程序形成该具粗糙表面的薄导电层。10.如申请专利范围第6项所述之积体电路电容器之储存电极的制造方法,其中步骤(e)该遮蔽层系一利用矽甲烷或四乙基矽氧烷为原料所沈积的氧化层。图式简单说明:第一图系一般DRAM中一记忆单元的电路示意图;第二图A至第二图C均为剖面图,绘示一种习知动态随机存取记忆单元之电容器的制造流程;以及第三图A至第三图F均为剖面示意图,用以说明依据本发明之电容器制造方法一较佳实施例的制造流程。 |
