半导体元件制造方法

摘要

本发明揭露一种半导体元件之制造方法，此方法包括先于半导体基底上形成一闸氧化层，在闸氧化层上建立一复晶矽闸电极，以此闸极为罩幕，对整片晶片进行轻掺杂汲极之离子植入，接着沈积一金属层，经热制程的方式在闸极复晶矽的表面形成一金属矽化物，接着，将高浓度的掺质植入，完成金氧半导体源极/汲极区的制作，然后沈积一氧化层做为闸极间隙壁之用。最后，再沈积一金属层，利用热制程的方式在源极/汲极区表面形成一金属矽化物，利用湿蚀刻的方式将未参与反应或反应后所剩余的金属去除。此方法仅须在一般制程中多加一道制程步骤，藉形成一金属矽化物结构，即可降低闸极电阻值，更有利于缩减积体电路的面积，增加堆叠密度，并且提供一良好的操作速度。

主权项

1.一种半导体元件之制造方法,包括下列步骤:提供一半导体基底;形成一闸氧化层;形成一复晶矽闸电极;进行一第一离子掺杂步骤,用以在该半导体基底上方形成一轻掺杂汲极区;沉积一第一金属层;形成一第一金属矽化物层于该复晶矽闸电极表面;去除该第一金属层;进行一第二离子掺杂步骤,用以在该半导体基底表面形成一源极/汲极区;形成一间隙壁于该复晶矽闸电极两侧;沉积一第二金属层;形成一第二金属矽化物层于该源极/汲极区上方;以及去除该第二金属层。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该闸氧化层系为二氧化矽。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该闸氧化层的方法系热氧化法。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一金属层系为钛(Ti)。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一金属矽化物层系为矽化钛。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该第一金属矽化物层的方法系快速加热制程。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中去除该第一金属层的方式系利用湿蚀刻法。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该间隙壁之方法,更包括下列步骤:形成一二氧化矽层;去除该二氧化矽层,以在该闸电极两侧形成该间隙壁。9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中形成该二氧化矽层的方法系化学气相沉积法。10.如申请专利范围第8项所述之方法,其中去除该二氧化矽层的方式系乾蚀刻法。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二金属层系为钛。12.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二金属矽化物层系为矽化钛。13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中形成该第二金属矽化物层的方法系快速加热制程。14.如申请专利范围第1项所述之方法,其中去除该第二金属层的方式系湿蚀刻法。图式简单说明:第一图A至第一图E系绘示习知一种半导体元件之制程剖面示意图;以及第二图A至第二图G,其所绘示的是根据本发明之一较佳实施例,一种半导体元件之制程成剖面示意图。