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1.一种制造官能基化聚合物之方法,其包括以下步 骤:使用单锂或双锂起始剂阴离子聚合不饱和单体 ;加入具有下列结构之烷氧矽烷基化合物以终止聚 合步骤: 其中Y为缩醛基,第三-丁基二甲基矽烷基或三甲基 矽烷基醚基,而Z为酸性烷氧基或苯氧基,可视情况 接着对所得化合物任何之不饱和乙烯性部份进行 选择性氢化反应。2.根据申请专利范围第1项之方 法,其中Y为缩醛基。3.根据申请专利范围第1或2项 之方法,其中不饱和单体为1,3-丁二烯。4.根据申请 专利范围第1或2项之方法,其中系加入下列物质作 为烷氧矽烷基化合物 其中Z为酸性烷氧基。5.根据申请专利范围第1或2 项之方法,其中聚合步骤系使用双锂起始剂于20℃ 到60℃之温度下起始。6.根据申请专利范围第1或2 项之方法,其中Z为三氟乙氧基。7.根据申请专利范 围第1或2项之方法,其中Z为苯氧基。8.根据申请专 利范围第1或2项之方法,其另外包含氢化该官能基 化聚合物中之残留不饱和键之步骤。9.一种官能 基化聚合物,其包含: 1,3-丁二烯或异戊二烯之饱和或不饱和聚合物;及 一或多个末端矽烷基缩醛基,该矽烷基缩醛基具有 下列结构:10.根据申请专利范围第9项之聚合物,其 中聚合物为饱和的。 |
