| 主权项 |
1.一种配线基板,乃是具有基板和形成在该基板上 之导体,其特征为;上述导体系由至少含有钕及钛 之铝合金所形成者。2.如申请专利范围第1项之配 线基板,其中,上述铝合金所含有的钕与钛之含有 率合计为小于3.5at.%者。3.如申请专利范围第2项之 配线基板,其中,上述铝合金所含有的钕含有率为 小于2.0at.%者。4.如申请专利范围第1项之配线基板 ,其中,上述铝合金所含有的钕与钛之含有率合计 为1.5at.%以下者。5.如申请专利范围第4项之配线基 板,其中,上述铝合金所含有的钕含有率为1.0at.%以 下者。6.如申请专利范围第1项之配线基板,其中, 上述导体的电阻率为10cm以下者。7.一种配线 基板,其系具有基板,和形成于该基板上之半导体 元件,及形成于上述基板上,而与上述半导体元件 电连接的导体,其特征为; 上述导体系由至少含有钕及钛之铝合金所形成者 。8.一种配线基板,其系具有基板,和形成于该基板 上之导体,其特征为; 上述导体系由含有其耐小丘特性比铝更良好的第1 金属,及其电阻率比上述第1金属更小的第2金属之 铝合金所形成者。9.如申请专利范围第8项之配线 基板,其中,上述铝合金所含有的第1及第2金属之含 有率合计为3.5at.%以下者。10.如申请专利范围第8 项之配线基板,其中,上述铝合金所含有的第1及第2 金属之含有率合计为1.5at.%以下者。11.一种配线基 板之制造方法,其特征为具备着: 准备基板之工程; 在上述基板上形成由至少含有钕及钛的铝合金所 构成的导体之工程; 在上述基板上形成与上述导体电连接的半导体元 件之工程;及 至少在上述导体或上述半导体元件中之一方施加 300℃以下的热处理之工程。12.如申请专利范围第 11项之配线基板制造方法,其中,上述铝合金所含有 的第1及第2金属之含有率合计为3.5at.%以下者。13. 一种配线基板之制造方法,其特征为具备着: 准备基板之工程; 在上述基板上形成半导体元件之工程; 在上述基板上,使由至少含有钕及钛的铝合金所构 成的导体能与上述半导体元件电结合般形成之工 程;及 至少上述导体或半导体元件中之一方施加300℃以 下的热处理之工程。14.如申请专利范围第13项之 配线基板制造方法,其中,上述铝合金所含有的第1 及第2金属之含有率合计为3.5at.%以下者。图式简 单说明: 第一图表示本发明的一实施例,具有由铝-钕-钛合 金薄膜所构成的配线之基板放大断面图。 第二图表示第一图中所示的铝-钕-钛合金薄膜的 电阻率之钕含有率及钛含有率之依赖性关系图。 第三图表示第一图中所示的铝-钕-钛合金薄膜的 耐小丘特性之钕含有率及钛含有率之依赖性关系 图。 第四图表示第一图中所示的铝-钕-钛合金薄膜的 耐针孔特性之钕含有率及钛含有率之依赖性关系 图。 第五图表示习知例之铝-钛合金薄膜的电阻率之钛 含有率的依赖性关系图。 第六图表示习知例之铝-钛合金薄膜的耐小丘特性 图。 第七图表示习知例之铝-钕合金薄膜的电阻率之钕 含有率的依赖性关系图。 第八图表示习知例之铝-钕合金薄膜的耐小丘特性 图。 第九图表示习知例之铝-钕合金薄膜的耐针孔特性 图。 第十图为习知的液晶显示装置之剖分电路图。 第十一图表示第十图的薄膜电晶体之详细放大断 面图。 |
