Schutzschaltung für einen Leistungs-Feldeffekttransistor (FET)

摘要

Die Erfindung betrifft eine Schutzschaltung für einen als Leistungsschalter geschalteten Feldeffekttransistor mit mindestens Drain-, Source- und Gate-Anschluß. Um eine Überlastung des FET bei verpolter Versorgungsspannung zu vermeiden, sieht die Erfindung vor, daß die Schaltspannung (U¶S¶) dem Gate-Anschluß (G) über eine Ladungspumpe (IC¶1¶) als Aussteuerspannung (U¶GS¶) zuführbar ist, daß die Ladungspumpe (IC¶1¶) über eine geeignete Schaltung (z. B. Graetz-Brückenschaltung, D¶2¶ bis D¶5¶) unabhängig von der Polung der angelegten Versorgungsspannung (U¶BATT¶) versorgt ist und daß bei falscher Polung der Versorgungsspannung (U¶BATT¶) über eine geeignete Schaltung (z. B. eine am Basisanschluß (GND) angeschaltete Diode (D¶1¶)) die Ladungspumpe (IC¶1¶) zur Abgabe einer Aussteuerspannung (U¶GS¶) angesteuert wird.