发明名称 | 制造双重镶嵌接触窗的方法 | ||
摘要 | 一种在基底上制造双重镶嵌金属内连线以及接触窗开口结构的方法包括:在基底上依次形成第一氧化层、第一氮化物层;图案化并蚀刻第一氮化物层以形成接触窗开口;在接触窗开口及第一氮化物层上形成第二氧化层、光刻胶层;图案化并显影以暴露出与接触窗开口具有不同尺寸的沟渠开口;以光刻胶层为掩模,蚀刻第二氧化层,以第一氮化物层为掩模,蚀刻第一氧化层,形成双重镶嵌开口;移除光刻胶层;形成氧化物间隙壁、沉积导电层。 | ||
申请公布号 | CN1250947A | 申请公布日期 | 2000.04.19 |
申请号 | CN98126568.5 | 申请日期 | 1998.12.30 |
申请人 | 世大积体电路股份有限公司 | 发明人 | 罗吉进;杜友伦 |
分类号 | H01L21/768;H01L21/027;H01L21/302 | 主分类号 | H01L21/768 |
代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
主权项 | 1.一种在基底上制造双重镶嵌金属内连线以及接触窗开口结构的方法,其步骤包括:在该基底上形成一第一氧化层;在该第一氧化层上形成一第一氮化物层;图案化并蚀刻该第一氮化物层以形成一接触窗开口;在该接触窗开口及该第一氮化物层上形成一第二氧化层;在该第二氧化层上形成一光致抗蚀剂层;图案化并显影该光致抗蚀剂层以暴露出与该接触窗开口具有不同尺寸的一沟渠开口;以该光致抗蚀剂层为掩模,蚀刻该第二氧化层,并且以该第一氮化物层为掩模,蚀刻该第一氧化层,以形成一双重镶嵌开口;移除该光致抗蚀剂层;在该双重镶嵌开口中形成一氧化物间隙壁;以及在该双重镶嵌开口中沉积一导电层。 | ||
地址 | 台湾省新竹科学工业园区 |