| 发明名称 | 具有电流增益的单一多晶硅DRAM存储单元及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种具有电流增益的单一多晶硅DRAM存储单元,其结构包括:一个深的n井,其位于硅基底中,一个p井,其位于深的n井中,一个栅极结构,覆盖并跨越深n井及p井,此栅极结构包括一层薄的栅极氧化层和一层导电层,以及一个n<SUP>+</SUP>区域,其位于p井中并与栅极结构的侧边相接,p井的电位可设定为以－V<SUB>cc</SUB>/2代表0,V<SUB>cc</SUB>/2代表1,寄生在p井中n通道MOS的启始电压,会施加一个0分别以V<SUB>cc</SUB>/2和－V<SUB>cc</SUB>/2代表1和0的p井电位所调整。 | ||
| 申请公布号 | CN1250949A | 申请公布日期 | 2000.04.19 |
| 申请号 | CN98122620.5 | 申请日期 | 1998.11.23 |
| 申请人 | 世大积体电路股份有限公司 | 发明人 | 季明华 |
| 分类号 | H01L21/8242;H01L27/108 | 主分类号 | H01L21/8242 |
| 代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种制造单一多晶硅DRAM存储单元的方法，其特征在于，包括下列步骤：在一硅基底中形成一个深的n井；在该深的n井中形成一个p井；形成一个栅极结构，覆盖并跨越该深的n井与该p井，其中，该栅极结构是由一薄的栅极氧化层与一导电层堆叠而成；以及紧邻该p井与该栅极结构形成一个n+区域。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||