首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 Method for making field effect transistors having sub-lithographic gates with vertical side walls
摘要
申请公布号 SG71909(A1) 申请公布日期 2000.04.18
申请号 SG19990000606 申请日期 1999.02.15
申请人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 发明人 BOYD, DIANE, C.;BURNS, STUART, M.;HANAFI, HUSSEIN, I.;TAUR YUAN;WILLE, WILLIAM, C.
分类号 H01L21/033;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/762;H01L29/423;(IPC1-7):H01L29/78 主分类号 H01L21/033
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com