| 发明名称 |
Shallow trench isolation of mosfets with reduced corner parasitic currents |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
SG71854(A1) |
申请公布日期 |
2000.04.18 |
| 申请号 |
SG19980004151 |
申请日期 |
1998.10.09 |
| 申请人 |
CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LTD. |
发明人 |
PEIDOUS, IGOR, V. |
| 分类号 |
H01L21/762;H01L21/763;(IPC1-7):H01L21/822 |
主分类号 |
H01L21/762 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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