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发明名称 NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
摘要
申请公布号 KR100251981(B1) 申请公布日期 2000.04.15
申请号 KR19960032514 申请日期 1996.07.30
申请人 SHARP CORPORATION 发明人 YAMAUCHI, YOSHIMITSU;YOSHIMI, MASANORI;SATO, SHINICHI;SAKIYAMA, KEIZO
分类号 H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/423;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L27/115 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
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