Vertical field-effect transistor having an annular trench gate and method of making the same

摘要

Der erfindungsgemäße vertikale MOS-Transistor ist gekennzeichnet durch ein in einem Graben (2) angeordnetes Gate (13), wobei ein Kanal (10) sowie Source (9) und Drain (5) im Substrat an der Grabenwand angeordnet sind. Das Gate umschließt ringförmig einen Drainanschluß (16), der sich von der Substratoberfläche bis zum am Grabenboden angeordneten Drain erstreckt. Durch Einsatz einer Schrägimplantation bei der Erzeugung des Gates können auf einem Substrat mit verschiedene breiten Gräben vertikale Transistoren mit verschiedenen Kanallängen hergestellt werden.