| 发明名称 |
Process for the fabrication of crystalline semiconductor layers |
| 摘要 |
<p>Ein Verfahren zur Herstellung einer kristallinen Halbleiterschicht (26) besteht darin, daß an der Oberfläche eines Halbleitersubstrats (20; 30) mindestens eine poröse Schicht (21; 31) erzeugt wird, die poröse Schicht von dem Haibleitersubstrat abgelöst wird und entweder vor oder nach dem Ablösen durch thermisches Ausheilen mindestens teilweise rekristallisiert wird. <IMAGE></p> |
| 申请公布号 |
EP0993029(A2) |
申请公布日期 |
2000.04.12 |
| 申请号 |
EP19990118102 |
申请日期 |
1999.09.10 |
| 申请人 |
UNIVERSITAET STUTTGART |
发明人 |
BERGMANN, RALF;RINKE, TITUS;WERNER, J.H. |
| 分类号 |
H01L21/20;H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/306;H01L21/324 |
主分类号 |
H01L21/20 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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