半导体引线支架

摘要

一种具有增进了的电镀层构造之半导体引线框架，此半导体引线支架具有多数电镀层构造，其中一Ni电镀层，一Pd放电电镀层，以及一Pd-X合金电镀层系依次沈积在一沈积了的墓板上;在此一多数电镀层构造中，Pd放电电镀层覆盖了Ni电镀层的表面的孔隙率而减少一表面粗糙性;由于外Pd-X合金电镀层的厚度可由于Pd放电电镀层而维持均匀，腐蚀忍耐性与结合特性即可增强，破损的产生与进程即可被减为最小。

主权项

1.一种半导体引线支架,包括:一形成一半导体引线支架之金属基板;一形成在基板上之Ni合金电镀层;一形成在Ni合金电镀层上的Pd放电电镀层;以及一形成在Pd放电电镀层上的Pd-X合金电镀层者2.如申请专利范围第1项之半导体引线支架,其中所述基板系以Cu、Cu合金与Ni合金之一所形成者。3.如申请专利范围第1项之半导体引线支架,其中所述基板所形成之厚度为0.1至3.0mm者。4.如申请专利范围第2项之半导体引线支架,其中所述基板所形成之厚度为0.1至3.0mm者。5.如申请专利范围第1项之半导体引线支架,其中所述Pd-X合金电镀层系以Pd作为一主要成分以及Au、Co、W、Ag、Ti、Mo与sn之一所形成的。6.如申请专利范围第1项之半导体引线支架,其中所述Pd-X合金电镀层系形成为有一0.1至2.0m的厚度者。7.如申请专利范围第4项之半导体引线支架,其中所述Pd-X合金电镀层系形成为有一0.1至2.0m的厚度者。8.如申请专利范围第1项之半导体引线支架,其中所述Ni合金电镀层系形成为有一0.1至2.0m的厚度者。9.如申请专利范围第1项之半导体引线支架,其中所述Pd放电电镀层系形成为有一0.005至0.5m的厚度者。图式简单说明:第一图为表示一平常的半导体引线支架的平面图。第二图至第四图表示应用于一传统半导体引线框架之电镀层构造的不同实施例的纵截面图;以及第五图系表示依照本发明之半导体引线框架之电镀层构造的截面图。