| 主权项 |
1.一种晶圆支持架,该晶圆支持架有多孔性支持表 面,以在当晶圆被研磨或抛光时,做为真空支持半 导体晶圆,其中,支持表面中央区域之孔隙度大于 外部区域的孔隙度,该外部区域围绕中央区域,以 及中央区域的外直径小于晶圆的直径,而外部区域 的外直径大于晶圆的直径。2.如专利申请范围第1 项之晶圆支持架,其中,排气道与中央区域连接,而 不与外部区域连接。3.如专利申请范围第1项之晶 圆支持架,其中,中央区域孔隙的平均直径为60-300 微米,以及外部区域孔隙的平均直径为2-50微米。4. 如专利申请范围第2项之晶圆支持架,其中,中央区 域孔隙的平均直径为60-300微米,以及外部区域孔隙 的平均直径为2-50微米。5.如专利申请范围第1项之 晶圆支持架,其中,中央区域的外直径为晶圆外直 径的50-99%,以及外部区域的外直径为晶圆外直径的 100-200%。6.如专利申请范围第2项之晶圆支持架,其 中,中央区域的外直径为晶圆外直径的50-99%,以及 外部区域的外直径为晶圆外直径的100-200%。7.如专 利申请范围第3项之晶圆支持架,其中,中央区域的 外直径为晶圆外直径的50-99%,以及外部区域的外直 径为晶圆外直径的100-200%。8.如专利申请范围第4 项之晶圆支持架,其中,中央区域的外直径为晶圆 外直径的50-99%,以及外部区域的外直径为晶圆外直 径的100-200%。9.一种晶圆支持架,该晶圆支持架有 多孔性支持表面,以在当晶圆被研磨或抛光时,做 为真空孔隙度支持半导体晶圆,其中,支持表面具 有成形在支持表面之多孔性的中央区域,经形成以 环绕中央区域并且有较中央区域之孔隙度为小之 多孔性外部区域,以及经形成以环绕外部区域之实 质非多孔性最外部区域;且中央区域的外直径较晶 圆的外直径为小,而外部区域的外直径较晶圆的外 直径为大。图式简单说明: 第一图为依照本发明之晶圆支持架之直立截面图; 第二图为说明图式,显示依照本发明之晶圆支持架 使用于抛光过程中的情形; 第三图为说明图式,显示依照本发明之晶圆支持架 使用于研磨过程中的情形; 第四图之图式显示研磨测试的结果,其中,使用本 发明之晶圆支持架之以研磨过程研磨之晶圆形状 与使用习用晶圆支持架之以研磨过程研磨的晶圆 相比较;以及 第五图为习用晶圆支持架之直立截面图。 |
