发明名称 显示装置
摘要 本发明系有关一种显示装置,其系提供可减少追加之部件点数、低成本、全面性降低由显示装置所产生之VLF频带之泄漏磁场及抑制使保持在MPR-Ⅱ规格之规定值内之宽裕度之显示装置。显示装置系由阴极射线管、安装于前述阴极射线管之颈部外周之所定位置之偏向轭2、线圈4及驱动偏向轭2之驱动电路构成。在由前述阴极射线管之面板中心前方50cm位置,于使由偏向轭2所产生之泄漏磁场E1,与由驱动电路3(线圈4)所产生之磁场E2实质的相互抵销之位置及方向,设置驱动电路3(线圈4)。
申请公布号 TW387196 申请公布日期 2000.04.11
申请号 TW087118167 申请日期 1998.11.02
申请人 松下电子工业股份有限公司 发明人 内田由纪夫;岩本智昭;左方智浩
分类号 H04N9/29 主分类号 H04N9/29
代理机构 代理人 林镒珠 台北巿长安东路二段一一二号九楼
主权项 1.一种显示装置,具有:阴极射线管、安装于前述阴极射线管之颈部外周所定位置之偏向轭、线圈及驱动前述偏向轭之驱动电路,其特征系:藉由使自前述偏向轭所产生之泄漏磁场与自前述驱动电路所产生之磁场相抵销,以降低由前述显示装置所产生之泄漏磁场。2.如申请专利范围第1项所述之显示装置,其中前述驱动电路系对前述偏向轭之水平偏向线圈供给锯齿波电流之水平偏向电路。3.如申请专利范围第1项所述之显示装置,其中在由前述阴极射线管之面板中心前方50cm位置,于使由前述偏向轭所产生之泄漏磁场,与由前述驱动电路所产生之磁场实质的相互抵销之位置及方向,设置前述驱动电路。4.如申请专利范围第1项所述之显示装置,其中在由前述阴极射线管之面板中心前方50cm位置,于使由前述偏向轭所产生之泄漏磁场,与由前述线圈所产生之磁场实质的相互抵销之位置及方向,设置前述线圈。5.如申请专利范围第4项所述之显示装置,其中前述线圈之设置场所系前后位置为自前述偏向轭至前述阴极射线管之面板之间,左右位置为在前述显示装置之显示部之范围以内,在前述阴极射线管之上部或下部。6.如申请专利范围第4项所述之显示装置,其中前述线圈为副谐振线圈。7.如申请专利范围第4项所述之显示装置,其中前述线圈为线性线圈。8.一种显示装置,具有:阴极线管、安装于前述阴极射线管之颈部外周所定位置之偏向轭及驱动前述偏向轭之驱动电路,其特征系:在前述驱动电路之电路基板上设置至少一个线圈,藉由使自前述偏向轭所产生之泄漏磁场,与自前述线圈所产生之磁场相抵销,以降低由前述显示装置所产生之泄漏磁场。9.如申请专利范围第8项所述之显示装置,其中在由前述阴极射线管之面板中心前方50cm位置,于使自前述偏向轭所产生之泄漏磁场,与自前述线圈所产生之磁场实质的相互抵销之位置及方向,设置前述线圈。10.如申请专利范围第9项所述之显示装置,其中以使前述阴极射线管之面板之长边设为水平方向之状态,在前述长边之上方或下方,设置前述线圈。11.如申请专利范围第10项所述之显示装置,其中在前述阴极射线管之玻锥部之面板侧,设置前述线圈。12.如申请专利范围第8项所述之显示装置,其中前述线圈为空心线圈。图式简单说明:第一图为构成本发明之第1实施形态之显示装置之偏向轭及驱动该偏向轭之水平偏向电路之电路图。第二图表示本发明之第1实施形态之显示装置之泄漏磁场测定方法之说明图,自进行泄漏磁场测定之显示装置之正上方所看到之状态之平面图。第三图表示本发明之第1实施形态之显示装置之泄漏磁场测定方法之说明图,自进行泄漏磁场测定之显示装置之正侧面所看到之状态之侧面图。第四图系将由本发明之第1实施形态之显示装置所产生之泄漏磁场与习知技术之显示装置所产生之泄漏磁场作比较所表示之曲线圈。第五图(a)系表示构成本发明之第1实施形态之显示装置之偏向轭及驱动该偏向轭之水平偏向电路另一构成之电路图;(b)系表示构成本发明之第1实施形态之显示装置之偏向轭及驱动该偏向轭之水平偏向电路另一构成之电路图。第六图表示本发明之第2实施形态之显示装置之概略构成图。第七图为本发明之第2实施形态之消除线圈、偏向轭及水平偏向电路之电路图。第八图为第七图之一部份放大图。第九图表示本发明之第2实施形态之MPR-II规格所规定之泄漏磁场测定方法之说明图。第十图表示本发明之第3实施形态之显示装置之概略构成图。第十一图表示具有降低习知技术之泄漏磁场之手段偏向轭之截面图。
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