| 主权项 |
1.一种具有透光基板之发光二极体,其包括有:一第一导电型透光性半导体基板,其具有第一晶格常数;一连接至该半导体基板背面之第一欧姆接触电极;一形成在该透光性半导体基板上之第一导电型渐变晶格常数缓冲层,自该半导体基板与渐变晶格常数缓冲层的接面处的缓冲层具有第一晶格常数,缓冲层的晶格常数自第一晶格常数渐渐变化成为在另一相对接面的第二晶格常数;一形成在该第一导电型渐变晶格常数缓冲层上之光产生区,该光产生区与该第一导电型缓冲层的接面处,光产生区及渐变晶格常数缓冲层分别具有相同的第二晶格常数;及一形成在该光产生区上之第二欧姆接触电极。2.如申请专利范围第1项之具有透光基板发光二极体,其中,该透光性半导体基板为GaP基板。3.如申请专利范围第1项之具有透光基板之发光二极体,其中,该渐变晶格常数缓冲层为具有渐变组成之(A1xGa1-x)yIn1-yP,其中,0≦x≦1,0≦y≦1。4.如申请专利范围第3项之具有透光基板之发光二极体,其中,该渐变晶格常数缓冲层是使用有机金属化学气相沉积法形成,MOCVD的制程条件为温度摄氏500至750度,压力100至300mbar。5.如申请专利范围第1项之具有透光基板之发光二极体,其中,该光产生区为包括有第三导电型和第四导电型多层AlGaInP结构。6.如申请专利范围第5项之具有透光基板之发光二极体,其中,该AlGaInP光产生区中各层的组成为(A1wGa1-w)sIn1-sP,其中,0≦w≦0.6,0.4≦s≦0.6。7.如申请专利范围第5项之具有透光基板之发光二极体,其中,该第三导电型为p型且第四导电型为n型。8.如申请专利范围第1项之具有透光基板之发光二极体,其中,该第一导电型为n型。9.如申请专利范围第1项之具有透光基板之发光二极体,其中,该第一导电型为p型。10.如申请专利范围第1项之具有透光基板之发光二极体,其中,该第一导电型为n型。图式简单说明:第一图为传统发光二极体之横截面图。第二图为习知之发光二极体的横截面图。第三图为另一习知之发光二极体的横截面图。第四图为根据本发明之发光二极体的横截面图。第五图为第四图实施例之能带结构示意图。 |
