发明名称 太阳能电池及其制造方法
摘要 一种既定形状之平面型太阳能电池。该太阳能电池系具备:将该平面分割所形成之复数个光电变换元件;复数个导电路,邻接于前述复数个光电变换元件而分别设置着,而用以使得各光电变换元件彼此形成串联连接;及2个外讯引出电极,分别与位于形成串联的前述光电变换元件的两端之2光电变换元件相连接,且设置于光电变换元件的光照射面之相对侧的面上。
申请公布号 TW387152 申请公布日期 2000.04.11
申请号 TW086110363 申请日期 1997.07.19
申请人 东电化股份有限公司;半导体能量研究所股份有限公司 发明人 西和夫;细川诚;矶部幸;二宫英昭
分类号 H01L31/04 主分类号 H01L31/04
代理机构 代理人 林镒珠 台北巿长安东路二段一一二号九楼
主权项 1.一种太阳能电池,其为既定形状的平面型太阳能电池,系具备:将该平面分割所形成之复数个光电变换元件;复数个导电路,邻接于前述复数个光电变换元件而分别设置着,而用以使得各光电变换元件彼此形成串联连接;及2个外部引出电极,分别与位于形成串联的前述光电变换元件的两端之2光电变换元件相连接,且设置于光电变换元件的光照射面之相对侧的面上。2.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池,其中,前述各光电变换元件系具备:基板、积层于该基板上之第1电极层、积层于该第1电极层上之光电变换半导体层、及积层于该光电变换半导体层上之透光性第2电极层;且,前述2外部引出电极之一系连接前述一端的光电变换元件之第2电极层,而另一外部引出电极系连接前述另一端的光电变换元件之第1电极层。3.如申请专利范围第2项所述之太阳能电池,其中,另具备第1贯通狭缝,而用以使得前述第2电极层与前述一外部引出电极形成电导通。4.如申请专利范围第3项所述之太阳能电池,其中,前述第1贯通狭缝之形成位置系,位于用以使得前述第1电极层及前述光电变换半导体层的一部分与其他部分形成绝缘的区域。5.如申请专利范围第2项所述之太阳能电池,其中,另具备第2贯通狭缝,而用以使得前述第1电极层与前述另一外部引出电极形成电导通。6.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池,其中,该太阳能电池为圆形者,前述复数个光电变换元件系将该圆形的平面朝放射方向分割所形成之复数个扇形的光电变换元件,前述复数个导电路及前述2外部引出电极系设置在前述复数个光电变换元件之外周部。7.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池,其中,该太阳能电池为多角形者,前述复数个光电变换元件系将该圆形的平面朝放射方向分割所形成之复数个三角形的光电变换元件,前述复数个导电路及前述2外部引出电极系设置在前述复数个光电变换元件之外周部。8.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池,其中,该太阳能电池为矩形者,前述复数个光电变换元件系将该圆形的平面朝纵方向分割所形成之复数个矩形的光电变换元件,前述复数个导电路系设在前述复数个光电变换元件间,前述2外部引出电极系设在前述位于两端的光电变换元件之外侧。9.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池,其中,前述各光电变换元件系具备:基板、积层于该基板上之第1电极层、积层于该第1电极层上之光电变换半导体层、积层于部分该光电变换半导体层上之树脂层、积层于前述光电变换半导体层上及前述树脂层上之透光性第2电极层、及积层于存在有前述树脂层的部分之该第2电极层上之第3电极层。10.如申请专利范围第9项所述之太阳能电池,其中,前述光电变换半导体层系由PIN型之非单结晶矽膜所构成。11.如申请专利范围第9项所述之太阳能电池,其中,前述第2电极层系由ITO膜所构成。12.如申请专利范围第9项所述之太阳能电池,其中,前述第1电极层系由铝膜所构成。13.如申请专利范围第9项所述之太阳能电池,其中,前述第3电极层系,由将金属粒子分散于胶粘剂中所得之导电胶膜所构成。14.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池,其中,前述外部引出电极系,由将金属粒子分散于胶粘剂中所得之导电胶膜所构成。15.一种太阳能电池,系具备:第1电极层,积层于该第1电极层上之光电变换半导体层,积层于部分该光电变换半导体层上之树脂层,积层于前述光电变换半导体层上及前述树脂层上之第2电极层,及积层于存在有前述树脂层的部分之该第2电极层上之第3电极层。16.如申请专利范围第15项所述之太阳能电池,其中,前述光电变换半导体层系由PIN型之非单结晶矽膜所构成。17.如申请专利范围第15项所述之太阳能电池,其中,前述第2电极层系由ITO膜所构成。18.如申请专利范围第15项所述之太阳能电池,其中,前述第1电极层系由铝膜所构成。19.如申请专利范围第15项所述之太阳能电池,其中,前述第3电极层系,由将金属粒子分散于胶粘剂中所得之导电胶膜所构成。20.如申请专利范围第15项所述之太阳能电池,其中,前述外部引出电极系,由将金属粒子分散于胶粘剂中所得之导电胶膜所构成。21.一种太阳能电池之制造方法,系具备:在基板上积层第1电极层之步骤;在该第1电极层上积层光电变换半导体层之步骤;在部分该光电变换半导体层上积层树脂层之步骤;在前述光电变换半导体层上及前述树脂层上积层第2电极层之步骤;及在存在有前述树脂层的部分之该第2电极层上选择性地积层第3电极层之步骤。22.如申请专利范围第21项所述之太阳能电池之制造方法,其中,前述光电变换半导体层之积层步骤系,将PIN型非单结晶矽膜积层之步骤。23.如申请专利范围第21项所述之太阳能电池之制造方法,其中,前述第2电极层之积层步骤系,将ITO膜积层之步骤。24.如申请专利范围第21项所述之太阳能电池之制造方法,其中,前述第1电极层之积层步骤系,将铝膜积层之步骤。25.如申请专利范围第21项所述之太阳能电池之制造方法,其中,前述第3电极层之积层步骤系,将金属粒子分散于胶粘剂中所得之导电胶膜部分地形成之步骤。图式简单说明:第一图a及第一图b系显示具备使用习知的印刷法所形成的电极之太阳能电池的部分构成之断面图。第二图系将本发明的一实施形态之配置在手表的文字盘上之太阳能电池由上方看起的平面图。第三图a-第三图h系将第二图的实施形态之太阳能电池的制造步骤以III-III线的断面表示之。第四图a-第四图g系将第二图的实施形态之太阳能电池的制造步骤以IV-IV线的断面表示之。第五图系将第二图的实施形态之太阳能电池构造以V-V线的断面代表之。第六图系将第二图的实施形态之太阳能电池构造以VI-VI线的断面代表之。第七图系将本发明的另一实施形态之配置在手表的文字盘上之太阳能电池由上方看起的平面图。第八图a-第八图h系将第七图的实施形态之太阳能电池的制造步骤以VIII-VIII线的断面代表之。第九图a-第九图g系将第七图的实施形态之太阳能电池的制造步骤以IX-IX线的断面代表之。第十图系将第七图的实施形态之太阳能电池构造以X-X线的断面代表之。第十一图系将第七图的实施形态之太阳能电池构造以XI-XI线的断面代表之。第十二图a及第十二图b系用以说明雷射画线的轨迹之图形。第十三图系将本发明的再一实施形态之配置在手表的文字盘上之太阳能电池由上方看起的平面图。第十四图系将本发明的再一实施形态之配置在手表的文字盘上之太阳能电池由上方看起的平面图。第十五图系将本发明的再一实施形态之配置在手表的文字盘上之太阳能电池由上方看起的平面图。
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