SUBSTRATE WITH AN INDENTATION FOR AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF

摘要

Die Vertiefung (V) reicht ausgehend von einer Hauptfläche (H) des Substrats (S) in das Substrat (S) hinein und weist einen oberen Bereich und einen daran angrenzenden unteren Bereich auf. Ein zur Hauptfläche (H) paralleler Querschnitt durch den oberen Bereich weist mindestens eine Ecke auf. Ein zur Hauptfläche (H) paralleler Querschnitt durch den unteren Bereich zumindest unmittelbar in der Nähe des oberen Bereichs entspricht dem Querschnitt des oberen Bereichs mit dem Unterschied, dass jede Ecke so abgerundet ist, dass der Querschnitt des unteren Bereichs kleiner als der Querschnitt des oberen Bereichs ist. Zur Erzeugung der Vertiefung (V) wird der obere Bereich mit einem Hilfsspacer (f) versehen, der durch isotropes Ätzen abgerundet wird. Der untere Bereich wird durch Ätzen des Substrats (S) selektiv zum Hilfsspacer (f) erzeugt.